发明名称 使用准分子雷射进行回火的方法
摘要 一种使用准分子雷射进行回火的方法。本方法在一段时间内,使用准分子雷射照射由钙钛矿结构分子所组成的薄膜,以使此层薄膜能产生回火的效应。
申请公布号 TW445546 申请公布日期 2001.07.11
申请号 TW089110230 申请日期 2000.05.26
申请人 郑晃忠;江政忠 新竹市东区东势街一五九号;黄全洲 台南县七股乡竹港村八十五号;史德智 桃园县八德市大义里大义街一○二号;许献文 台北县三重市三阳路四十七号八楼 发明人 郑晃忠;江政忠;黄全州;史德智;许献文
分类号 H01L21/324 主分类号 H01L21/324
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种使用准分子雷射进行回火的方法,包括:提供由一钙钛矿结构分子所组成的一薄膜;以及于一段时间内,以一准分子雷射照射该薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该钙钛矿结构分子系为PZT(PbxZr1-xTiO3)分子。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该钙钛矿结构分子系为PST(PbxSr1-xTiO3)分子。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该钙钛矿结构分子系为BST(BaxSr1-xTiO3)分子。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该钙钛矿结构分子系为SBT(SrBi2 Ta2O3)分子。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该准分子雷射之能量系于300毫焦耳至210毫焦耳之间。图式简单说明:第一图绘示的是在各种不同回火条件下所得到的结晶方向与晶体结晶状况关系图;以及第二图绘示的是依照本发明一较佳实施例执行后所得的BST薄膜的介电常数(dielectric)变化状况。
地址 新竹巿建功一路八十六巷二弄十四号二楼