| 主权项 |
1.一种用于制造一类比电容器积体电路装置的方法,包含有:设置一个隔离区,以将半导体基板中的一第一主动区与一第二主动区隔离;形成一个第一闸极氧化物层于该第一与第二主动区中的该半导体基板上;沈积一个第一多晶矽层于该第一闸极氧化物层与该隔离层上;沈积一个氧化物层于该第一多晶矽层上;沈积一个氮化物层于该氧化物层上;蚀刻移除未为遮罩所覆盖的该氮化物层、该氧化物层与该第一多晶矽层,而形成一个第一多晶矽闸极电极于该第一主动区中,以及在该隔离区上方形成一多晶矽下电容板与位于下电容板上的电容器介电质(包含该氧化物层与该氮化物层);移除在该第之主动区中的该第一闸极氧化物层;形成一个第二闸极氧化物层于该第二主动区中的该半导体基板上,其中该第二闸极氧化物层具有小于该第一闸极氧化物层之厚度的厚度;沈积一个第二多晶矽层于该第二闸极氧化物层、该下电容板与电容器介电质以及该第一多晶矽闸电极上方;蚀刻移除未为遮罩所覆盖的该第二多晶矽层,而形成一个第二多晶矽闸极电极于该第二主动区中,以及形成一个上电容板在该下电容板上方,其中该电容器介电质位于该上、下电容板之间;以及完成该类比电容器积体电路装置。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该隔离区为一个场氧化物区。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一闸极氧化物层具有约100至120埃的厚度。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一多晶矽层具有约2500至3000埃的厚度。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该氧化物层包含氧化矽,并具有约100至200埃的厚度。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该氮化物层包含氮化矽,并具有约100至150埃的厚度。7.如申请专利范围第1项之方法,更包含有沈积一个第二氧化矽层于该氮化物层上,其中该第二氧化矽层具有约100至120埃的厚度。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二闸极氧化物层具有约50至70埃的厚度。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二多晶矽层具有约2500至3000埃的厚度。10.如申请专利范围第1项之方法,更包含有:形成源极与汲极区于与该第一及第二闸极电极邻接的该半导体基板中;沈积一个绝缘层于该半导体基板、该第一与第二闸极电极以及该下、上电容板上;接触孔系穿经该绝缘层被开启,而达底下的该源极与汲极区,并达该上、下电容板;以一个导电层填充该接触孔,并刻画该导电层;以及沈积一个保护层于经刻画的该导电层上,而完成该类比电容器积体电路装置。11.一种用于制造一类比电容器积体电路装置的方法,包含有:设置一个隔离区以将半导体基板中的一第一主动区与一第二主动区隔离;形成一个第一闸极氧化物层于该第一与第二主动区中的该半导体基板上;沈积一个第一多晶矽层于该第一闸极氧化物层与该隔离层上;沈积一个氧化物层于该第一多晶矽层上;沈积一个氮化物层于该氧化物层上;蚀刻移除未为遮罩所覆盖的该氮化物层、该氧化物层与该第一多晶矽层,而形成一个第一多晶矽闸极电极于该第一主动区中,以及在该隔离区上方形成一多晶矽下电容板与位于下电容板上的电容器介电质(包含该氧化物层与该氮化物层);移除在该第二主动区中的该第一闸极氧化物层;形成一个第二闸极氧化物层于该第二主动区中的该半导体基板上,其中该第二闸极氧化物层具有小于该第一闸极氧化物层之厚度的厚度;沈积一个第二多晶矽层于该第二闸极氧化物层、该下电容板与电容器介电质以及该第一多晶矽闸电极上方;蚀刻移除未为遮罩所覆盖的该第二多晶矽层,而形成一个第二多晶矽闸极电极于该第二主动区中,以及形成一个上电容板在该下电容板上方,其中该电容器介电质位于该上、下电容板之间;形成源极与汲极区于与该第一及第二闸极电极邻接的该半导体基板中;沈积一个绝缘层于该半导体基板、该第一与第二闸极电极以及该下、上电容板上;接触孔系穿经该绝缘层被开启,而达底下的该源极与汲极区,并达该上、下电容板;以一个导电层填充该接触孔,并刻画该导电层;以及沈积一个系保护层于经刻画的该导电层上,而完成该类比电容器积体电路装置。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该隔离区为一个场氧化物区。13.如申请专利范围第11项之方法,其中该第一闸极氧化物层具有约100至120埃的厚度。14.如申请专利范围第11项之方法,其中该第一多晶矽层具有约2500至3000埃的厚度。15.如申请专利范围第11项之方法,其中该氧化物层包含氧化矽,并具有约100至200埃的厚度。16.如申请专利范围第11项之方法,其中该氮化物层包含氮化矽,并具有约100至150埃的厚度。17.如申请专利范围第11项之方法,更包含有沈积一个第二氧化矽层于该氮化物层上,其中该第二氧化矽层具有约100至200埃的厚度。18.如申请专利范围第11项之方法,其中该第二闸极氧化物层具有约50至70埃的厚度。19.如申请专利范围第11项之方法,其中该第二多晶矽层具有约2500至3000埃的厚度。20.一种用于制造一类比电容器积体电路装置的方法,包含有:设置一个场氧化物区,以将半导体基板中的一第一主动区与一第二主动区隔离;形成一个第一闸极氧化物层于该第一与第二主动区中的该半导体基板上,其中该第一氧化物层具有约100至120埃之间的厚度;沈积一个第一多晶矽层于该第一闸极氧化物层与该场氧化物区上;沈积一个电容器介电质层层于该第一多晶矽层上;蚀刻移除未为遮罩所覆盖的该电容器介电质层与该第一多晶矽层,而形成一个第一多晶矽闸极电极于该第一主动区中,以及在场氧化物区上方形成一多晶矽下电容板与位于下电容板上的电容器介电质;移除在该第二主动区中的该第一闸极氧化物层;形成一个第二闸极氧化物层于该第二主动区中的该半导体基板上,其中该第二闸极氧化物层具有约50至70埃之间的厚度;沈积一个第二多晶矽层于该第二闸极氧化物层、该下电容板与电容器介电质以及该第一多晶矽闸电极上方;蚀刻移除未为遮罩所覆盖的该第二多晶矽层,而形成一个第二多晶矽闸极电极于该第二主动区中,以及形成一个上电容板在该下电容板上方,其中该电容器介电质位于该上、下电容板之间;以及完成该类比电容器积体电路装置。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该电容器介电质层包含:一个第一氧化矽层,具有约100至200埃之间的厚度;以及一个第二氮化矽层,具有约100至150埃之间的厚度。22.如申请专利范围第20项之方法,其中该电容器介电质层包含:一个第一氧化矽层,具有约100至200埃之间的厚度;一个第二氮化矽层,具有约100至150埃之间的厚度;以及一个第三氧化矽层,具有约100至200埃之间的厚度。23.如申请专利范围第20项之方法,更包含有:形成源极与汲极区于与该第一及第二闸极电极邻接的该半导体基板中;沈积一个绝缘层于该半导体基板、该第一与第二闸极电极以及该下、上电容板上;接触孔系穿经该绝缘层被开启,而达底下的该源极与汲极区,并达该上、下电容板;以一个导电层填充该接触孔,并刻画该导电层;以及沈积一个保护层于经刻画的该导电层上,而完成该类比电容器积体电路装置。图式简单说明:第一图至第十一图系为本发明之较佳实施例的示意横剖面表示。 |
