| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,包含以下步骤:形成一闸极于矽基板之闸绝缘膜上;导入一给定导电型态之掺杂物至该闸极中与该矽基板的表面;施行第一次热处理以使得该矽基板中之该掺杂物扩散并形成源-汲极区域;及掺杂最少量的氟至该闸极中,然后施行第二次热处理。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该掺杂物为硼。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该掺物为砷、磷或锑。4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该掺杂氟至该闸极中之步骤系以离子植入方法施行之,使用剂量为11013cm-2至11016cm-2。5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中施行该第二次热处理之处理温度为500至900℃。6.一种半导体装置的制造方法,包含以下步骤:形成一闸极其位于矽基板之闸绝缘膜之上;导入一给定导电型态之掺杂物至该闸极中与该矽基板的表面;施行第一次热处理以使得该矽基板中之该掺杂物扩散并形成源-汲极区域;形成一氮化矽膜于该整个表面上;及掺杂最少量氟至该闸极中,之后施行第二次热处理。7.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中该掺杂物为硼。8.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中该掺杂物为砷、磷或锑。9.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中该掺杂氟至该闸极中以离子植入方法施行之,使用剂量为11013cm-2至11016cm-2。10.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中施行该第二次热处理之处理温度为500至900℃。图式简单说明:第一图表示一系列之示意剖面图,说明根据本发明之半导体装置制造方法之步骤。第二图表示一系列之示意剖面图,说明根据本发明之该半导体装置制造方法之进一步的步骤。第三图表示一系列之示意剖面图,说明根据本发明之该半导体装置制造方法之进一步的步骤。第四图表示一系列之示意剖面图,说明根据本发明之该半导体装置制造方法之进一步的步骤。第五图为一组图示,解释矽之末端的结构。第六图为一图示,解释根据本发明之应用而获得之负偏压温度不稳定效应之改善效果。第七图表示一系列之示意剖面图,说明根据本发明之该半导体装置另一制造方法之步骤。第八图表示一系列之示意剖面图,说明根据本发明之该半导体装置制造方法之进一步的步骤。第九图表示一系列之示意剖面图,说明根据本发明之该半导体装置制造方法之进一步的步骤。第十图为一图示,解释根据本发明之应用而获得之角偏压温度不稳定效应之改善效果。 |
