| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,在一基底上形成有一垫氧化物层与一硬罩幕层,定义该硬罩幕层与该垫氧化物层,在该基底上形成一沟渠;该制造方法包括:去除该硬罩幕层,暴露出该垫氧化物层;对该基底形成一绝缘层,该绝缘层填入该沟渠;以该垫氧化物层为研磨终止层,以化学机械研磨法去除该垫氧化物层上之该绝缘层,使该绝缘层之一表面至少与该垫氧化物层同高;以及去除该垫氧化物层。2.如申请专利范围第1项所述浅沟渠隔离结构之制造方法,其中在去除该硬罩幕层前更包括在该沟渠表面形成一衬氧化物层的步骤。3.如申请专利范围第1项所述浅沟渠隔离结构之制造方法,其中以化学机械研磨法去除该垫氧化物层上之该绝缘层可以控制该化学机械研磨法进行之时间控制该绝缘层之去除厚度。4.如申请专利范围第1项所述浅沟渠隔离结构之制造方法,其中去除该垫氧化物层的步骤更包括以稀释的氢氟酸溶液进行。5.如申请专利范围第1项所述浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该绝缘层包括以低压化学气相沉积法与常压化学气相沉积法二者择一形成。6.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,该制造方法包括:提供一基底,在该基底上形成有一垫氧化物层与一硬罩幕层;定义该硬罩幕层与该垫氧化物层,在该基底上形成一沟渠;去除该硬罩幕层,暴露出该垫氧化物层;对该基底形成一绝缘层,使该绝缘层填入该沟渠;以该垫氧化物层为研磨终止层,以化学机械研磨法去除该垫氧化物层上之该绝缘层,使该绝缘层在该沟渠之一表面至少与该垫氧化物层同高;以及去除该挚氧化物层。7.如申请专利范围第6项所述浅沟渠隔离结构之制造方法,其中在去除该硬罩幕层前更包括在该沟渠表面形成一衬氧化物层的步骤。8.如申请专利范围第6项所述浅沟渠隔离结构之制造方法,其中以化学机械研磨法去除该垫氧化物层上之该绝缘层可以控制该化学机械研磨法进行之时间控制该绝缘层之去除厚度。9.如申请专利范围第6项所述浅沟渠隔离结构之制造方法,其中去除该垫氧化物层的步骤更包括以稀释的氢氟酸溶液进行。10.如申请专利范围第6项所述浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该绝缘层包括以低压化学气相沉积法与常压化学气相沉积法二者择一形成。图式简单说明:第一图A至第一图D系显示一种习知浅沟渠隔离结构的制造流程剖面图;以及第二图A至第二图D系显示根据本发明较佳实施例浅沟渠隔离结构之制造流程剖面图。 |
