| 主权项 |
1.一种使用一具有一开口之一光阻图案,乾蚀刻一 半导体基底或形成于该半导体基底上之一材质层 的方法,包括: 藉由提供一RF电源到该蚀刻室之两电极中的一电 极,于蚀刻室中形成一电浆; 提供一RF电源偏压到该蚀刻室之该两电极中的另 一电极,其中该两电极之另一电极提供做为该半导 体基底的支撑物;以及 使该RF电源和该RF偏压电源的来源可以周期性地打 开/关闭,其中该RF电源和该RF偏压电源之间有一相 位差, 其中该光阻之该开口的侧壁之一上边缘部份没有 被蚀刻,且同时一聚合物形成于该上边缘部份,以 获得对应于该开口之一蚀刻部份的关键尺寸。2. 如申请专利范围第1项所述之乾蚀刻方法,其中该 材质层包括一氧化层。3.如申请专利范围第1项所 述之乾蚀刻方法,其中该蚀刻的部份有约小于0.25 m的关键尺寸。4.如申请专利范围第1项所述之乾 蚀刻方法,其中该RF电源系为一低压高密度电浆源 。5.如申请专利范围第4项所述之乾蚀刻方法,其中 该低压高密度电浆源系选自一族群,该族群包括诱 导耦合电浆、电子回旋共振、Helicon和表面波电浆 所组成。6.如申请专利范围第1项所述之乾蚀刻方 法,其中该电浆之密度的增加和减小,系藉由周期 性地打开/关闭该RF电源。7.如申请专利范围第1项 所述之乾蚀刻方法,其中每一该RF电源和该RF偏压 电源的来源,有接近300m的一周期,有将近50%的一 责任比。8.如申请专利范围第1项所述之乾蚀刻方 法,其中该RF电源和该RF偏压电源的功率分别约为 1600W和400W。9.如申请专利范围第1项所述之乾蚀刻 方法,其中该RF偏压电源与该RF电源有一相位差的 延迟从到3/2。10.如申请专利范围第1项所述之 乾蚀刻方法,其中该聚合物的量与该RF电源和该RF 偏压电源之间的相位差成比例地增加。11.如申请 专利范围第1项所述之乾蚀刻方法,其中当该聚合 物的量增加时,该蚀刻部份的一底部之形成,小于 该蚀刻部份之一顶部的关键尺寸。12.一种使用一 具有一开口之一光阻图案,乾蚀刻一半导体基底或 形成于该半导体基底上之一材质层的装置,包括: 一电浆蚀刻反应室; 一第一RF电源供应器,与该蚀刻反应室的两电极之 一做电性连接,用于产生一第一RF电源,可以使得在 该蚀刻反应室产生一电浆; 一第一信号产生器,藉由从该第一RF电源供应器周 期性地打开/关闭该第一RF电源,用于产生一第一已 调RF电源; 一第二RF电源供应器,与该蚀刻反应室的两电极之 另一电极做电性连接,用于产生一第二RF电源;以及 一第二信号产生器,藉由从该第二RF电源供应器周 期性地打开/关闭该第二RF电源,用于产生一第二已 调RF电源, 其中该第一已调RF电源和该第二已调RF电源之间有 一相位差,且其中一光阻图案之一开口的侧壁之一 上边缘部份没有被蚀刻,且同时一聚合物形成于该 上边缘部份,以获得对应于该开口之一蚀刻部份的 关键尺寸。13.如申请专利范围第12项所述之装置, 其中该材质层包括一氧化层。14.如申请专利范围 第12项所述之装置,其中该蚀刻的部份有约小于0.25 m的关键尺寸。15.如申请专利范围第12项所述之 装置,其中该RF电源系为一低压高密度电浆源。16. 如申请专利范围第15项所述之装置,其中该低压高 密度电浆源系选自一族群,该族群包括诱导耦合电 浆、电子回旋共振、Helicon和表面波电浆所组成。 17.如申请专利范围第12项所述之装置,其中该电浆 之密度的增加和减小,系藉由周期性地打开/关闭 该RF电源。18.如申请专利范围第12项所述之装置, 其中每一该RF电源和该RF偏压电源的来源,有接近 300m的一周期,有将近50%的一责任比。19.如申请 专利范围第12项所述之装置,其中该RF电源和该RF偏 压电源的功率分别约为1600W和400W。20.如申请专利 范围第12项所述之装置,其中该RF偏压电源与该RF电 源有一相位差的延迟从到3/2。21.如申请专利 范围第12项所述之装置,其中该聚合物的量与该RF 电源和该RF偏压电源之间的相位差成比例地增加 。22.如申请专利范围第12项所述之装置,其中当该 聚合物的量增加时,该蚀刻部份的一底部之形成, 小于该蚀刻部份之一顶部的关键尺寸。图式简单 说明: 第一图系显示一种习知乾蚀刻半导体元件的制程, 使用示波器测量RF电源和RF偏压电源的波形图; 第二图A至第二图C绘示根据第一图的电源条件与 时间,于半导体层形成接触窗开口之连续制程的图 例; 第三图系显示根据本发明一较佳实施例之一种乾 蚀刻半导体基底制程之RF电源和RF偏压电源的相位 差条件之波形图; 第四图至第五图系显示根据第三图的电源条件,随 着时间改变,半导体层的接触窗开口之形成过程图 ;以及 第六图系显示本发明之一较佳例之半导体层结构 的方块图。 |
