| 主权项 |
1.一种可控制崩塌程度的焊球阵列结构,至少包括: 一基板,至少具有一第一表面; 复数个焊垫,配置于该基板之第一表面上; 一承载器,至少具有一主动表面与一相对于该主动 表面之一背面; 复数个晶片,配置于该承载器之该主动表面与该背 面,其中该些晶片系以覆晶型态配置于该承载器之 该主动表面;以及 一封装胶体,覆盖于该承载器之该背面,与配置于 该承载器之该背面的该些晶片;以及 复数个焊球,至少包括一底材,该些焊球以阵列型 态配置于该承载器之该主动表面上,阵列四周的该 些焊球至少有三个更各别具有一高熔点核心; 其中该承载器以该主动表面面对该基板之该第一 表面配置,使得每一该些焊球分别对应该些焊垫之 一。2.如申请专利范围第1项所述之可控制崩塌程 度的焊球阵列结构,其中该些焊球之该底材系为铅 锡合金。3.如申请专利范围第2项所述之可控制崩 塌程度的焊球阵列结构,其中该些焊球之该底材的 材质系为低熔点之铅锡合金,铅与锡之比例为37/63 。4.如申请专利范围第1项所述之可控制崩塌程度 的焊球阵列结构,其中该些焊球之该些高熔点核心 系选自于由铅锡合金、以及铜所组成之族群中的 一种材料。5.如申请专利范围第4项所述之可控制 崩塌程度的焊球阵列结构,其中该些高熔点核心为 铅锡合金,铅与锡之比例为90/10。6.如申请专利范 围第1项所述之可控制崩塌程度的焊球阵列结构, 其中该些焊球之该底材的熔点较该些焊球之该高 熔点核心的熔点低。7.如申请专利范围第1项所述 之可控制崩塌程度的焊球阵列结构,其中该基板系 为印刷电路板。8.如申请专利范围第1项所述之可 控制崩塌程度的焊球阵列结构,其中该基板之该焊 垫的材质系为铜。9.一种可控制崩塌程度的焊球 阵列结构,至少包括: 一基板,至少具有一第一表面; 复数个焊垫,配置于该基板之第一表面上; 一承载器,至少具有一主动表面与一相对于该主动 表面之一背面;以及 一模穴朝下之球栅格阵列结构,至少包括一晶片、 复数个焊线、一封装胶体、以及复数个焊球,其中 该晶片配置于该承载器之该主动表面,并以该些焊 线电性连接该晶片至该承载器,该封装胶体覆盖于 该承载器之该主动表面、该晶片、以及该些焊线, 复数个焊球至少包括一底材,该些焊球于该晶片四 周以阵列型态配置于该承载器之该主动表面上,阵 列四周的该些焊球至少有三个更各别具有一高熔 点核心; 其中该承载器以该主动表面面对该基板之该第一 表面配置,使得每一该些焊球分别对应该些焊垫之 一。10.如申请专利范围第9项所述之可控制崩塌程 度的焊球阵列结构,其中该些焊球之该底材系为铅 锡合金。11.如申请专利范围第10项所述之可控制 崩塌程度的焊球阵列结构,其中该些焊球之该底材 的材质系为低熔点之铅锡合金,铅与锡之比例为37/ 63。12.如申请专利范围第9项所述之可控制崩塌程 度的焊球阵列结构,其中该些焊球之该些高熔点核 心系选自于由铝锡合金、以及铜所组成之族群中 的一种材料。13.如申请专利范围第12项所述之可 控制崩塌程度的焊球阵列结构,其中该些高熔点核 心为铅锡合金,铅与锡之比例为90/10。14.如申请专 利范围第9项所述之可控制崩塌程度的焊球阵列结 构,其中该些焊球之该底材的熔点较该些焊球之该 高熔点核心的熔点低。15.如申请专利范围第9项所 述之可控制崩塌程度的焊球阵列结构,其中该基板 系为印刷电路板。16.如申请专利范围第9项所述之 可控制崩塌程度的焊球阵列结构,其中该基板之该 焊垫的材质系为铜。17.一种可控制崩塌程度的焊 球阵列结构,至少包括: 一基板,至少具有一第一表面; 复数个焊垫,配置于该基板之第一表面上; 一承载器,至少具有一主动表面与一相对于该主动 表面之一背面; 一晶片,配置于该承载器之该背面;以及 一封装胶体,覆盖于该承载器之该背面,与配置于 该承载器之该背面的该晶片;以及 复数个焊球,至少包括一底材,该些焊球以阵列型 态配置于该承载器之该主动表面上,阵列四周的该 些焊球至少有三个更各别具有一高熔点核心; 其中该承载器以该主动表面面对该基板之该第一 表面配置,使得每一该些焊球分别对应该些焊垫之 一。18.如申请专利范围第17项所述之可控制崩塌 程度的焊球阵列结构,其中该些焊球之该底材系为 铅锡合金。19.如申请专利范围第18项所述之可控 制崩塌程度的焊球阵列结构,其中该些焊球之该底 材的材质系为低熔点之铅锡合金,铅与锡之比例为 37/63。20.如申请专利范围第17项所述之可控制崩塌 程度的焊球阵列结构,其中该些焊球之该些高熔点 核心系选自于由铅锡合金、以及铜所组成之族群 中的一种材料。21.如申请专利范围第20项所述之 可控制崩塌程度的焊球阵列结构,其中该些高熔点 核心为铅锡合金,铅与锡之比例为90/10。22.如申请 专利范围第17项所述之可控制崩塌程度的焊球阵 列结构,其中该些焊球之该底材的熔点较该些焊球 之该高熔点核心的熔点低。23.如申请专利范围第 17项所述之可控制崩塌程度的焊球阵列结构,其中 该基板系为印刷电路板。24.如申请专利范围第17 项所述之可控制崩塌程度的焊球阵列结构,其中该 基板之该焊垫的材质系为铜。25.如申请专利范围 第17项所述之可控制崩塌程度的焊球阵列结构,其 中该晶片系以覆晶型态配置于该承载器之该背面 。图式简单说明: 第一图A与第一图B系绘示习知覆晶产品组装结构 的剖面示意图。 第二图A与第二图B系绘示根据本发明可控制崩塌 程度的焊球阵列结构第一较佳实施例的剖面示意 图。 第三图A与第三图B系绘示根据本发明可控制崩塌 程度的焊球阵列结构第二较佳实施例的剖面示意 图。 第四图A与第四图B系绘示根据本发明可控制崩塌 程度的焊球阵列结构第三较佳实施例的剖面示意 图。 |
