| 主权项 |
1.一种X线遮罩的应力调整方法,系在将由遮蔽X线 透过的材质所构成的X线吸收体(4)作成图型后,对 含有前述X线吸收体(4)的X线遮罩实施应力调整处 理为其特征。2.如申请专利范围第1项之X线遮罩的 应力调整方法,其中,实施前述应力调整处理的制 程,系为具有对前述X线遮罩进行由退火,离子注入, 蚀刻,成膜,氧化及还元所组成的群当中,选择1个以 上的处理的制程者。3.如申请专利范围第1项之X线 遮罩的应力调整方法,更具备有在前述X线吸收体(4 )的下层,形成由防止对准光的反射的材质所构成 的反射防止膜(3)之制程, 前述X线吸收体(4)的图型制作,系选择性地蚀刻前 述X线吸收体(4)而直至露出前述反射防止膜(3)的表 面而进行, 实施前述应力调整处理的制程,系具有氧化露出的 前述反射防止膜(3)的表面之制程者。4.如申请专 利范围第1项之X线遮罩的应力调整方法,其中,实施 前述应力调整处理的制程,系为具有对图型制作且 形成氧化膜(4a)于壁侧的前述X线吸收体(4)实施退 火之制程。5.如申请专利范围第1项之X线遮罩的应 力调整方法,其中,前述X线吸收体(4)的图型制作,系 使前述X线吸收体(4)的侧壁是形成倾斜状态地进行 蚀刻处理, 实施前述应力调整处理的制程,系为具有对图型制 作的前述X线吸收体(4)实施退火的制程者。6.如申 请专利范围第1项之X线遮罩的应力调整方法,更具 备有测定图型制作的前述X线吸收体(4)的位置偏离 的制程, 因应于测定的前述位置偏离而调整前述X线遮罩的 应力者。7.如申请专利范围第6项之X线遮罩的应力 调整方法,系为重覆测定图型制作的前述X线吸收 体(4)的位置偏离的制程、和调整前述X线遮罩的应 力的制程,而缩小前述位置偏离者。8.如申请专利 范围第1项之X线遮罩的应力调整方法,其中,实施前 述应力调整处理的制程,系为在照射X线于前述X线 遮罩之后而进行者。9.如申请专利范围第1项之X线 遮罩的应力调整方法,其中,将前述X线吸收体(4)图 型制作的制程,系为在使用光阻层(5)的图型而将形 成于前述X线吸收体(4)上的遮罩层(8)图型制作之后 ,以图型作成的前述遮罩层(8)作为遮罩而进行蚀刻 处理, 实施前述应力调整处理的制程,系在计测图型作成 的前述X线吸收体(4)的位置精度之后而进行,且藉 由蚀刻处理前述遮罩层(8)而进行者。10.如申请专 利范围第9项之X线遮罩的应力调整方法,其中,蚀刻 前述遮罩层(8)的制程,系藉由蚀刻处理而残留前述 遮罩层(8)者。11.如申请专利范围第9项之X线遮罩 的应力调整方法,其中,蚀刻前述遮罩层(8)的制程, 系藉由蚀刻处理而不残留前述遮罩层(8)者。12.如 申请专利范围第11项之X线遮罩的应力调整方法,前 述遮罩层(8)在经蚀刻处理而全部除去之后,对前述 X线吸收体(4)实施蚀刻处理并除去前述X线吸收体(4 )的一部份者。13.如申请专利范围第9项之X线遮罩 的应力调整方法,重覆进行前述位置精度的计测和 前述遮罩层(8)的除去者。14.如申请专利范围第9项 之X线遮罩的应力调整方法,其中,在前述光阻层(5) 为正像型且前述遮罩层(8)为具有引伸应力以及前 述光阻层(5)为负像形且前述遮罩层(8)为具有压缩 应力之其中任一情形时,系预先将前述光阻层(5)的 图型形成为较实施前述应力调整处理后的前述X线 吸收体(4)的图型为小者。15.如申请专利范围第9项 之X线遮罩的应力调整方法,其中,在前述光阻层(5) 为正像型且前述遮罩层(8)为具有压缩应力之情形, 以及前述光阻层(5)为负像型且前述遮罩层(8)为具 有拉伸应力之情形中之任一情形时,系预先将前述 光阻层(5)之图型形成为较实施前述应力调整处理 之后的前述X线吸收体(4)的图型为大者。图式简单 说明: 第一图为表示本发明之实施形态1的X线遮罩的应 力调整方法。 第二图至第八图表示本发明之实施形态1的X线遮 罩的应力调整方法之顺序的概略断面图。 第九图表示在X线遮罩的完成后进行应力调整制程 亦为可行之图。 第十图至第十一图为表示本发明之实施形态2之X 线遮罩之应力调整方法之制程顺序图。 第十二图至第十三图为表示本发明之实施形态3的 X线遮罩之应力调整方法之制程顺序图。 第十四图至第十五图为表示本发明之实施形态4的 X线遮罩之应力调整方法之制程顺序图。 第十六图为表示本发明之实施形态6的X线遮罩之 应力调整方法之图。 第十七图为表示本发明之实施形态7的X线遮罩之 应力调整方法之图。 第十八图至第二十一图为表示本发明之实施形态8 的X线遮罩之应力调整方法之制程顺序之概略断面 图。 第二十二图A至第二十二图D为表示光阻层是正像 型而蚀刻遮罩是具有拉伸应力之情形的应力调整 方法之制程顺序图。 第二十三图A至第二十三图C为表示残存应力于X线 吸收体之情形的应力调整方法之制程顺序图。 第二十四图A至第二十四图D为表示光阻层为负像 型而蚀刻遮罩是具有压缩应力之情形的应力调整 方法之制程顺序图。 第二十五图A至第二十五图C为表示残存应力于X线 吸收体之情形的应力调整方法之制程顺序图。 第二十六图A至第二十六图C为表示光阻层为负像 型而蚀刻遮罩是具有拉伸应力之情形的应力调整 方法之制程顺序图。 第二十七图A至第二十七图C表示残存应力于X线吸 收体之情形的应力调整方法之制程顺序图。 第二十八图A至第二十八图C为表示照射SR光之情形 的应力调整方法之制程顺序图。 第二十九图A至第二十九图C为表示X线吸收体、反 射防止膜、蚀刻阻挡物之氧化情形的应力调整方 法之制程顺序图。 第三十图A至第三十图C为表示照射SR光的情形之应 力调整方法之制程顺序图。 第三十一图至第三十三图为表示X线吸收体之底层 之过蚀刻情形的制程顺序图。 第三十四图至第三十五图表示本发明之实施形态 10的X线遮罩之应力调整方法之制程顺序图。 第三十六图为表示X线吸收体之底层的制程图。 第三十七图为表示X线吸收体之底层的表层应力为 0附近之制程图。 第三十八图至第四十四图为表示习知之X线遮罩之 制造方法的制程顺序之概略断面图。 第四十五图至第四十六图为说明在对反射防止膜 实施蚀刻之情形时产生图型的位置偏离情形的制 程顺序图。 第四十七图为说明在X线吸收体的图形制作后经自 然氧化而产生图形之位置偏离情形的概略斜视图 。 第四十八图A至第四十八图B为表示作成获得相位 移位功效之X线吸收体的图形之形状的情形之概略 断面图及光强度分布图。 第四十九图表示自X线吸收体的下层至上层的应力 分布图。 第五十图表示部份扩大X线吸收体之图形的断面图 。 第五十一图说明在作成获得相位移位功效之X线吸 收体的型样之形状的情形中产生图型之位置偏离 的概略斜视图。 |
