| 发明名称 |
Method for forming a silicide of metal with a high melting point in a semiconductor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2349743(B) |
申请公布日期 |
2001.07.11 |
| 申请号 |
GB20000010480 |
申请日期 |
2000.04.28 |
| 申请人 |
* NEC CORPORATION |
发明人 |
NOBUAKI * HAMANAKA;KEN * INOUE;KAORU * MIKAGI |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092;(IPC1-7):H01L21/285 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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