| 发明名称 | 铁电半导体存储器的制法 | ||
| 摘要 | 开关晶体管(2)在半导体衬底(1)上形成,绝缘层(4)沉积在开关晶体管(2)上,随后在绝缘层(4)上形成具有铂电极(7,9)和铁电或仲电介质(8)的存储电容器。为了在进一步的工艺步骤中防止氢进入介质(8),第一壁垒层(5)置入到绝缘层(4)内,并在制成存储电容器之后,淀积本身与第一壁垒层(5)连接的第二壁垒层10。 | ||
| 申请公布号 | CN1303128A | 申请公布日期 | 2001.07.11 |
| 申请号 | CN01101354.0 | 申请日期 | 2001.01.03 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | W·哈特纳;G·欣德勒;M·卡德特纳;C·德姆 |
| 分类号 | H01L21/82 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;孙黎明 |
| 主权项 | 1．半导体部件的制法，其中，a)．在半导体衬底1上形成开关晶体管(2)，b)．在开关晶体管(2)上沉积绝缘层(4)，其中插入尤其是防止氢扩散的第一壁垒层(5)，c)．与开关晶体管(2)耦合的存储电容器沉积到绝缘层(4)上，该电容器包含下电极(7)、上电极(9)，其间淀积含氧化物金属的层(8)，d)．在垂直腐蚀步骤中，在存储电容器外直到一定深度为止去除绝缘层(4)，其中，第一壁垒层向外露出，e)．尤其是防止氢渗透的第二壁垒层(10)沉积到存储电容器和绝缘层(4)以及第一壁垒层(5)上。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||