集成硅微电阻式加速度传感器

摘要

本实用新型所提供的一种集成硅微电阻式加速度传感器,包括基座、壳体,由八根为应变梁支承的质量块,压敏电阻及电桥电路所构成检测芯片,测量部分为整体结构,采用微机械专用双抛硅晶片。抗过载能力强,用一个传感器可一维到三维和任意方向的加速度检测。

主权项

1、一种集成硅微电阻式加速度传感器，包括基座(1)，装在基座上起保护作用的壳体(2)，由应力敏感部分，质量块体部分，压敏电阻及电桥电路所构成的检测芯片(3)；其特征是所述的检测芯片在其中心是微动的质量块(4)，在质量块周围对称分布着二、四或者八根梁，用于支承质量块，所述敏感部分为梁(5)。