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发明名称 METHOD FOR FORMING A CAPACITOR WITH A RUTHENIUM SILICIDE DIFFUSION BARRIER LAYER
摘要
申请公布号 EP1114449(A1) 申请公布日期 2001.07.11
申请号 EP19990939124 申请日期 1999.08.10
申请人 MICRON TECHNOLOGY, INC. 发明人 VAARTSTRA, BRIAN, A.;MARSH, EUGENE, P.
分类号 H01L21/28;H01L21/02;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/8242;H01L21/8244;H01L21/8246;H01L23/52;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/11;(IPC1-7):H01L21/285 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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