| 发明名称 |
CMOS-Halbleitereinrichtung mit vergrabenen Wannengebieten auf einem SOI-Substrat |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE19900992(C2) |
申请公布日期 |
2001.07.05 |
| 申请号 |
DE1999100992 |
申请日期 |
1999.01.13 |
| 申请人 |
LG SEMICON CO., LTD. |
发明人 |
HWANG, JEONG MO;SON, JEONG HWAN |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L21/76;H01L21/8238;H01L21/84;H01L23/62;H01L27/092;H01L27/108;H01L29/74;H01L29/76;H01L29/786;H01L29/94;H01L31/062;H01L31/111;H01L31/113;H01L31/119;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
