Dielektrische Füllung von elektrischen Verdrahtungsebenen

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft eine dielektrische Füllung für elektrische Verdrahtungsebenen eines integrierten Schaltkreises. Die elektrische Verdrahtung eines integrierten Schaltkreises umfaßt einen Grundkörper (1), auf dem bereits Leitungs- und Passivierungsebenen angeordnet sein können; eine leitfähige Schicht (2), die auf dem Grundkörper (1) angeordnet ist und so strukturiert ist, daß sie eine erste Leiterbahn (3), eine zweite Leiterbahn (4) und einen Graben (5) zwischen der ersten Leiterbahn (3) und der zweiten Leiterbahn (4) aufweist; eine erste dielektrische Schicht (6) auf der leitfähigen Schicht (2) angeordnet ist und den Graben (5) zumindest teilweise auffüllt, wobei es sich bei der ersten dielektrischen Schicht (6) um den Polymerwerkstoff Polybenzoxazol handelt.