Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors und Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung mit einem solchen Bipolartransistor

摘要

Der Bipolartransistor wird so erzeugt, daß ein Anschlußgebiet seiner Basis (B) mit einer Silizidschicht (SD) versehen wird, so daß ein Basiswiderstand des Bipolartransistors klein ist. Zwischen einem Emitter (E) und einem Kontakt (KE) des Emitters (E) und zwischen einem Anschlußgebiet (A) eines Kollektors (C) und einem Kontakt (K3) des Kollektors (C) wird keine Silizidschicht erzeugt. Die Basis (B) wird durch in situ dotierte Epitaxie in einem Bereich erzeugt, in dem eine erste isolierende Schicht (11) durch isotropes Ätzen so entfernt wird, daß das auf der ersten isolierenden Schicht (11) angeordnete Anschlußgebiet der Basis (B) unterätzt wird. Zur Vermeidung von Defekten eines Substrats (1), in dem der Bipolartransistor teilweise erzeugt wird, wird zum Strukturieren von Hilfsschichten (H1, H2) isotropes Ätzen verwendet, wobei selektiv zu darüber angeordneten Hilfsschichten (H2, SP) geätzt wird, die durch anisotropes Ätzen strukturiert werden.