| 发明名称 |
DRAM capacitor electrode having hemispherical silicon grains |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2357900(A) |
申请公布日期 |
2001.07.04 |
| 申请号 |
GB20010004410 |
申请日期 |
1997.05.08 |
| 申请人 |
* NEC CORPORATION |
发明人 |
FUMIKI * AISO;HIROHITO * WATANABE;TOSHIYUKI * HIROTA;SHUJI * FUJIWARA;MASANOBU * ZENKE |
| 分类号 |
H01L21/02;(IPC1-7):H01L21/02;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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