| 发明名称 | 峰值编程电流降低装置和方法 | ||
| 摘要 | 用于减少存储器中的峰值编程电流的装置和方法包括提供具有按行和列排列并具有多个电流端子(30)的存储单元(29)的阵列的存储器(26)并按顺序把电流提供到多个电流端子的每个电流端子上。该阵列构造在半导体芯片中并具有对半导体芯片内部的电流源(27)的连接,该连接包括在该半导体芯片中由通孔连接的多金属层。在一个实施例中,阵列包括集成在具有电流源的半导体芯片中的隧道结MRAM单元。该电流源集成在存储单元的阵列与到该半导体芯片内部的电流源的连接之间并且被按顺序操作。 | ||
| 申请公布号 | CN1302069A | 申请公布日期 | 2001.07.04 |
| 申请号 | CN00135554.6 | 申请日期 | 2000.12.19 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 彼得·K·纳基 |
| 分类号 | G11C16/02;G11C16/10 | 主分类号 | G11C16/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1．用于减少存储器(26)中的峰值编程电流的装置(25)，具有n条编程路径(30)并且具有在该n条路径中的总值为I的编程电流，包括在该n条编程路径中连接的n个开关，每个编程路径一个开关(31)，n个开关一次可操作一个以便将瞬时编程电流降低为I的1/n。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||