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Eine Substratprozessvorrichtung (1) zum Prozessieren von Wafern (W) weist eine erste Prozesskammer 2 auf, die in der Lage ist, die Wafer (W) aufzunehmen, und eine zweite Prozesskammer (4), die in der Lage ist, die Wafer (W) aufzunehmen. Die zweite Prozesskammer (4) ist unterhalb und in der Nähe der ersten Prozesskammer (2) angeordnet und ist mit der ersten Prozesskammer (2) verbunden. Eine Waferführung (6) transportiert die Wafer (W) vertikal zwischen der ersten und zweiten Prozesskammer (2, 4). Ein Shutter (7) ist offen, um die erste und zweite Prozesskammer (2, 4) miteinander zu verbinden, und ist geschlossen, um die gleichen voneinander zu trennen. Ein Dampfversorgungssystem (8) einschließlich einer Dampfversorgungsöffnung, ein Ozongasversorgungssystem (9) einschließlich einer Ozongasversorgungsöffnung und ein IPA-Versorgungssystem (10) einschießlich einer IPA-Versorgungsöffnung sind mit der ersten Prozesskammer (2) kombiniert. Ein Reinwasserversorgungssystem (11) einschließlich einer Reinwasserversorgungsöffnung und eine Ablasseinheit (12) einschließlich einer Ablassrohrleitung 141, durch die Reinwasser abgelassen wird, ist mit der zweiten Prozesskammer (4) verbunden.
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