| 发明名称 | 具有电容器的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种用于存储单元的半导体器件,包括:有源矩阵,由晶体管和在晶体管四周形成的第一绝缘膜提供;电容器结构,形成在第一绝缘膜上,由底电极,位于底电极上的电容器薄膜和形成在电容器薄膜上的上电极构成;第二绝缘层,形成在晶体管和电容器结构上;金属互连,形成在第二绝缘层和有源矩阵上,使晶体管和电容器结构电连接;以及氢阻挡层,形成在金属互连上。 | ||
| 申请公布号 | CN1302086A | 申请公布日期 | 2001.07.04 |
| 申请号 | CN00126799.X | 申请日期 | 2000.12.30 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 梁飞龙;洪锡敬;李承锡;姜南守 |
| 分类号 | H01L27/108;H01L23/52;H01L21/8239;H01L21/768 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种用于存储单元的半导体器件包括：有源矩阵，由晶体管和在晶体管四周形成的第一绝缘膜提供；电容器结构，形成在第一绝缘膜上，由底电极，位于底电极上的电容器薄膜和形成在电容器薄膜上的上电极构成；第二绝缘层，形成在晶体管和电容器结构上；金属互连，形成在第二绝缘层和有源矩阵上，并将晶体管电连接到电容器结构；以及氢阻挡层，形成在金属互连上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||