具有成分分级的铁电材料的铁电场效应晶体管及其制造方法

摘要

一种非易失性非破坏性读出的铁电FET存储器(10,40,60,80,100,120，130,160)包括半导体衬底(19)、铁电功能梯度材料(“FGM”)薄膜(26,50,70,90,20,140,170)和栅电极(30)。在一个基本实施例中,铁电FGM薄膜(26,50,70,90,20,140,170)包括铁电化合物和介电化合物。介电化合物具有比铁电化合物低的介电常数。在薄膜中铁电化合物有浓度梯度。在第二基本实施例中,FGM薄膜(26,50,70,90,20,140,170)是功能梯度铁电体(“FGF”),其中铁电化合物的合成的梯度导致反传统磁滞行为。FGF薄膜的反传统磁滞行为与铁电FET存储器中的扩大的存储窗相关。FGM薄膜(26,50,70,90,20,140,170)优选地使用液体源MOD方法形成,优选是多源CVD方法。

主权项

1．一种具有半导体衬底(9)、铁电薄膜和栅电极(30)的铁电FET(10,40,60,80,100,110,120,130,160)，其特征在于所述铁电薄膜是铁电FGM薄膜(26,50,70,90,20,140或170)。