| 发明名称 | 与硅之间具有金属氧化物界面的半导体构造的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体构造的制造方法,具有下述步骤:准备具有表面(12)的硅衬底(10);用原子层淀积法在硅衬底(10)的表面(12)上边形成籽晶层(20;20’)。其特征是:在籽晶层(20;20’)上边用原子层淀积法(ALD)形成一层或多层的高介电系数氧化物(40)。 | ||
| 申请公布号 | CN1302080A | 申请公布日期 | 2001.07.04 |
| 申请号 | CN00131662.1 | 申请日期 | 2000.10.24 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 加莫·拉姆达尼;拉文德兰纳特·德鲁帕德;志仪·J·于 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种制造半导体构造的方法，其特征是具有下述步骤：准备具有表面(12)的硅衬底(10)；用原子层淀积法在硅衬底的表面上边形成籽晶层(20)；在籽晶层上边用原子层淀积法形成一层或多层的高介电系数氧化物(40)。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||