| 主权项 |
1.一种半导体模组,其复数个半导体元件以并联方式彼此互相连接,包括有:一第一导体,系连接至该复数个半导体元件之每一主要电流输入接触区域,以输入流经该复数个半导体元件之一主要电流;一第二导体,系连接至该复数个半导体元件之每一主要电流输出接触区域,以输出流经该复数个半导体元件之一主要电流;以及一第三导体,系连接至该复数个半导体元件之驱动讯号输入接触区域,其特征为:该复数个半导体元件系为基于第二与第三导体之间的电位差所驱动控制者;并且复数个半导体元件之每一主要电流输出接触区域系藉由一第四导体而彼此互相连接。2.如申请专利范围第1项之半导体模组,其中该复数个半导体元件系排列成一直线;而且该第四导体包括有:一金属平板,其系平行于排列成一直线之该复数个半导体元件;以及一金属线,其将该复数个半导体元件之主要电流输出接触区域连接至该金属平板。3.一种半导体模组,其复数个金氧半电晶体(MOS transistor)以并联方式彼此互相连接,包括有:一汲极电极,系连接至该复数个金氧半电晶体之每一汲极接触区域;一源极电极,系藉由一耦合线而连接至该复数个金氧半电晶体之每一源极接触区域;以及一闸极电极,系连接至该复数个金氧半电晶体之每一闸极接触区域,其特征为:该复数个金氧半电晶体系被设计为基于源极电极与闸极电极之间的电位差所驱动控制者;并且该复数个金氧半电晶体之源极接触区域系藉由另一路径不是该源极电极而彼此互相连接。4.一种半导体模组,其复数个半导体元件以并联方式彼此互相连接,包括有:一第一导体,系连接至该复数个半导体元件之一第一主要电流接触区域;一第二导体,系连接至该复数个半导体元件之一第二主要电流接触区域;一第三导体,系连接至该复数个半导体元件之驱动讯号输入接触区域;以及一第四导体,以互相连接该复数个半导体元件之中,距离第二导体有一预定或更远距离的半导体元件之第二主要电流接触区域;其特征为:该复数个半导体元件系为基于第二与第三导体之间的电位差所驱动控制者。5.一种半导体模组,其复数个半导体元件以并联方式彼此互相连接,包括有:一第一导体,系连接至该复数个半导体元件之一第一主要电流接触区域;一第二导体,系连接至该复数个半导体元件之一第二主要电流接触区域;一第三导体,系连接至该复数个半导体元件之驱动讯号输入接触区域;第一、第二、与第三端,系分别直接连接至该第一、第二、与第三导体;以及一第四导体,以互相连接该复数个半导体元件之中,距离第二端有一预定或更远距离的半导体元件之第二主要电流接触区域;其中该复数个半导体元件系为基于第二与第三导体之间的电位差所驱动控制者。6.一种半导体模组,其复数个金氧半电晶体以并联方式彼此互相连接,其特征为包括有:一源极电极,系连接至该复数个金氧半电晶体之每一源极接触区域;以及一桥型电极,以互相连接该复数个半导体元件之中,距离该源极电极有一预定或更远距离的半导体元件之源极接触区域。7.一种半导体模组,其复数个金氧半电晶体以并联方式彼此互相连接,其特征为包括有:一源极电极,系连接至该复数个金氧半电晶体之每一源极接触区域;一源极端,系直接连接至该源极电极,以自该半导体模组输出一源极电流;以及一桥型电极,以互相连接该复数个半导体元件之中,距离该源极电极有一预定或更远距离的半导体元件之源极接触区域。图式简单说明:第一图表示一习用半导体模组之范例,其中复数个半导体元件以并联方式彼此互相连接。第二图表示第一图所示的半导体模组之电路。第三图表示本发明实施例之半导体模组。第四图表示本发明实施例之半导体模组之电路。第五图表示感应电压取决于金氧半电晶体之位置。第六图表示本发明半导体模组之(1)实施例,在部分的金氧半电晶体中,源极接点与桥型电极的连接被省略。第七图表示本发明半导体模组之(2)实施例,在部分的金氧半电晶体中,源极接点与桥型电极的连接被省略。 |
