| 主权项 |
1.一种形成浅沟渠隔离区顶部圆弧形角之方法,可应用在一浅沟渠隔离区结构中,该形成方法包括:提供一半导体基底;形成一垫氧化层于该半导体基底上;形成一罩幕层于该垫氧化层上;形成一浅沟渠开口于该半导体基底中,并贯穿该垫氧化层与该罩幕层;将该浅沟渠开口周围侧壁与底部进行前清洗,以微蚀该垫氧化层靠近该浅沟渠开口侧壁处,用以形成一尖形形角于该半导体表面上,且相邻于该浅沟渠开口侧壁与该垫氧化层受到微蚀处;形成一衬氧化层于该浅沟渠开口周围侧壁与底部上;将一绝缘物填满于该浅沟渠开口,以形成一浅沟渠隔离区;去除该罩幕层;去除该垫氧化层,以形成一小凹沟于该绝缘物中靠近该衬氧化层与该半导体基底处,并露出该尖形形角;以及进行快速热制程步骤,以温度大于1100℃,快速热制程时间约1至2分钟下,形成一牺牲氧化层于该半导体基底上,并将该尖形形角圆弧化,以形成一圆弧形角于该半导体基底上相邻于该衬氧化层与该浅沟渠隔离区处。2.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中该罩幕层之材质系为氮化矽。3.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中形成该浅沟渠开口之步骤更包括下列副步骤:定义一光阻图案于该罩幕层上;以及进行非等向性乾式蚀刻法,蚀刻未受该光阻图案保护之该罩幕层、该垫氧化层与该半导体基底,以形成该浅沟渠开口。4.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中将该浅沟渠开口周围侧壁与底部进行前清洗之步骤包括以RCA-A与去离子水对氟化氢之比为10:1的混合剂清洗,清洗时间约为60秒。5.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中形成该衬氧化层之步骤系在温度约为850℃至950℃中形成。6.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中该绝缘物系以化学气相沉积法形成。7.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中该绝缘物之材质包括二氧化矽。8.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中去除该垫氧化层系以等向性湿式蚀刻法进行。9.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中该牺牲氧化层厚度约为70至200。10.如申请专利范围第1项所述之形成方法,其中进行快速热制程步骤系在氧气与一氧化二氮的环境中进行。图式简单说明:第一图A至第一图D是习知形成浅沟渠隔离区的剖面示意图;第二图是第一图D中小凹沟与尖形形角之放大图;第三图A至第三图E是依照本发明一较佳实施例的一种形成浅沟渠隔离区的圆弧形角之方法的剖面示意图;以及第四图是第三图E中圆弧形角周围之放大图 |
