| 主权项 |
1.一种用以形成热转移胶带之厚膜电阻器组合物,其包含基于总组合物为准:由54到76%重量比之无机物,其包含(1)钌氧化物或钌烧绿石(pyrochlore,NaCaNb2O6F)氧化物粉末或其混合物(2)玻璃粉末,包含PbO、SiO2及Al2O3,及(3)至少一无机氧化物;及14到23%重量比树脂黏结剂;及10到23%重量比有机溶剂。2.根据申请专利范围第1项之组合物,其中无机氧化物为选自包含下列族群中:MnO2.TiO2.Nb2O5.Fe3O4.Sb2O3.CuO、Bi2O3.PbO、AgO、ZnO、SnO、V2O5,Al2O3,ZrO2,SiO2,Cr2O3及Ta2O5。3.一种热转移胶带,其中根据申请专利范围第1项之组合物为涂覆至聚对苯二酸乙二酯基膜之上,然后乾燥以移除有机溶剂。4.一种热转移胶带,其中包含第二聚对苯二酸乙二酯基膜,其承载对应到预定厚膜电阻器形状之涂覆厚膜电阻器层之选定部分,由置放该第二聚对苯二酸乙二酯基膜至根据申请专利范围第3项之热转移胶带之一侧,其承载涂覆厚膜电阻器层紧密接触,然后在承载涂覆厚膜层之热转移胶带之侧的相反侧加热,以熔化及热转移涂覆厚膜电阻器层之该预定部分。5.一种厚膜电阻器之形成方法,其使用根据申请专利范围第3项之热转移胶带,其包括下列步骤:将根据申请专利范围第3项包含基膜之热转移胶带置于于介电基质上,而使热转移胶带之厚膜电阻器层为与介电基质表面接触;在厚膜电阻器层已形成之侧的相反侧的热转移胶带之基膜上,加热相对应于选定厚膜电阻器形状之基膜的一部分,因此熔化厚膜电阻器层的一部分且热转移其至介电基质上;且火烤已由热转移胶带转移且淀积在介电基质上之选定部分厚膜电阻器膜。6.一种厚膜电阻器之形成方法,其使用根据申请专利范围第4项之热转移胶带,其包括下列步骤:将根据申请专利范围第4项之热转移胶带置放于介电基质上,而使已分离且形成特定形状的热转移胶带之部分厚膜电阻器层为与介电基质表面接触;在部分厚膜电阻器层已形成侧之相反侧的热转移胶带侧,加热部分热转移胶带基膜,其相对应于部分厚膜电阻器层已形成之位置,而熔化分离部分厚膜电阻器层且热转移其至介电基质;及火烤已由热转移胶带转移且淀积在介电基质上之部分厚膜电阻器层。7.一种厚膜电阻器之形成方法,其包含下列步骤:制备热转移胶带,其承载根据申请专利范围第1项组合物之涂覆厚膜电阻器层,该组合物具有厚度范围约3到12毫微米,其在聚对苯二酸乙二酯基膜上,该基膜具厚度高至5毫微米,其在涂覆之后由乾燥移除溶剂;形成具第一预定形状之选定第一电阻器,其由加热及转移第一电阻器至介电基质上且火烤淀积在基质上之第一电阻器;形成具不同于第一形状之形状的选定第二电阻器,其由加热及转移第二电阻器至介电基质上,第二电阻器形状相关于第一电阻器之电阻,由加热及转移第二电阻器至基质上,且火烤淀积在基质上之第二电阻器,及重复第一电阻器制造步骤及第二电阻器制造步骤以选择性地改变第一及第二电阻器之形状而获得具所需电阻値之厚膜电阻器。 |
