| 主权项 |
1.一种主动式光二极体互补式金氧半影像感测器,适用于一基体,该感测器至少包括:一二极体感光区位于部分该基体中;一电晶体配置于该基体上,该电晶体包括一闸极氧化层与一源极区,该源极区与部分该二极体感光区连接;一隔离区与该二极体感光区相隔一区域而环绕配置于该二极体感光区周缘之该基体上;以及一覆盖层配置于该隔离区与该二极体感光区之间的该基体上,并且延伸覆盖至部分该二极体感光区上,该覆盖层系以形成该闸极氧化层的方式所形成者。2.如申请专利范围第1项所述之主动式光二极体互补式金氧半影像感测器,其中该电晶体系一重置电晶体。3.如申请专利范围第1项所述之主动式光二极体互补式金氧半影像感测器,其中该电晶体系一传送电晶体。4.如申请专利范围第1项所述之主动式光二极体互补式金氧半影像感测器,其中该覆盖层包括热氧化法所形成之氧化矽。5.如申请专利范围第4项所述之主动式光二极体互补式金氧半影像感测器,更包括一浮置闸配置于该闸极氧化层与部分该隔离区之上。6.如申请专利范围第1项所述之主动式光二极体互补式金氧半影像感测器,更包括一浮置闸配置于该闸极氧化层与部分该隔离区之上。7.如申请专利范围第6项所述之主动式光二极体互补式金氧半影像感测器,其中该基体具有p型掺杂,该光二极体包括一n型掺杂区。8.如申请专利范围第6项所述之主动式光二极体互补式金氧半影像感测器,其中该基体具有n型掺杂,该光二极体包括一p型掺杂区。9.如申请专利范围第1项所述之主动式光二极体互补式金氧半影像感测器,其中该基体具有p型掺杂,该光二极体包括一n型掺杂区。10.如申请专利范围第1项所述之主动式光二极体互补式金氧半影像感测器,其中该基体具有n型掺杂,该光二极体包括一p型掺杂区。11.一种主动式光二极体互补式金氧半影像感测器之制造方法,包括:提供一基体;于该基体形成一隔离区;于该基体上形成一氧化层与一导体层;定义该导体层与该氧化层,以使留下之该导体层形成一重置电晶体之一闸极导体层以及环绕于部分该隔离区周缘之一浮置闸,留下之该氧化层形成该重置电晶体之一闸极氧化层以及环绕于部分该隔离区周缘之一覆盖层;以及以该隔离区、该浮置闸与该闸极导体层为罩幕,进行一离子植入步骤与一热驱入制程,以在该基体中形成一源极区、一汲极区与一二极体感光区,其中该二极体感光区与该源极区连接,并且位于该覆盖层与该闸极导体层所包围的区域之中。12.如申请专利范围第11项所述之主动式光二极体互补式金氧半影像感测器之制造方法,其中该氧化层的形成方法包括热氧化法。13.如申请专利范围第11项所述之主动式光二极体互补式金氧半影像感测器之制造方法,其中该隔离区的形成方法包括局部区域热氧化法。14.如申请专利范围第11项所述之主动式光二极体互补式金氧半影像感测器之制造方法,其中该导体层之材质包括复晶矽、复晶矽化金属或金属其中之一。15.如申请专利范围第11项所述之主动式光二极体互补式金氧半影像感测器之制造方法,其中该基体具有p型掺杂,且该离子植入步骤所植入之离子包括n型掺杂。16.如申请专利范围第11项所述之主动式光二极体互补式金氧半影像感测器之制造方法,其中该基体具有n型掺杂,且该离子植入步骤所植入之离子包括p型掺杂。图式简单说明:第一图系绘示习知一种主动式光二极体互补式金氧半影像感测器的剖面图。第二图系绘示依照本发明实施例之一种主动式光二极体互补式金氧半影像感测器的上视图。第三图系绘示第二图之一种主动式光二极体互补式金氧半影像感测器的III-III切面之剖面图。第四图与第五图系绘示依照本发明实施例之一种主动式光二极体互补式金氧半影像感测器之制造流程的剖面图。 |
