| 主权项 |
1.一种双镶嵌结构的制作方法,适用于具有金属导线的半导体基底,上述方法包括下列步骤:(a)在上述半导体基底上方依序形成一第1介电层、一第1蚀刻停止层、第2介电层、第2蚀刻停止层、一具有第1开口的第1光阻图案;(b)利用反应式离子蚀刻方式(RIE),经由上述第1开口蚀刻该第2蚀刻停止层、该第2介电层、该第1蚀刻停止层及该第1介电层,以在上述金属导线相对位置形成一接触孔;(c)利用反应式离子蚀刻方式清除上述第1光阻图案;(d)在上述接触孔内部填入有机底部防反射层,且形成具有第2开口的第2光阻图案;(e)利用反应式离子蚀刻方式(RIE),经由上述第2开口蚀刻该第2蚀刻停止层及该第2介电层,直到露出上述第1蚀刻停止层为止,以形成一沟槽;以及(f)利用反应式离子蚀刻方式清除该有机底部防反射层及第2光阻图案,而完成双镶嵌结构。2.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中该第1.2介电层系由多孔性二氧化矽或低介电常数材料构成。3.如申请专利范围第2项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中形成该第1介电层之前更包括形成一氮化矽阻挡层的步骤。4.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中该第1.2蚀刻停止层系由氮化矽或氮氧矽化物构成。5.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中步骤(b)、(c)及(e)、(f)在同一机台完成。6.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中上述第1.2光阻图案系由有机聚合物材料构成。7.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中步骤(c)、(f)清除第1.2光阻图案及有机底部防反射层系采用氮气/氧气为清洗反应气体。8.如申请专利范围第7项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中采用更包括采用氮气/氢气为清洗反应气体。9.一种接触孔或沟槽的制作方法,适用于形成有介电层的半导体基底,上述方法包括下列步骤:在上述介电层的既定位置形成具有开口的光阻图案;在反应性离子蚀刻机台内经由上述开口蚀刻上述介电层,以形成接触孔或沟槽;以及在上述反应性离子蚀刻机台内清除上述光阻图案。10.如申请专利范围第9项所述之接触孔或沟槽的制作方法,其中上述光阻图案系由有机聚合物材料构成。11.如申请专利范围第10项所述之接触孔或沟槽的制作方法,其中上述采用清除光阻图案的步骤,系采用氮气/氧气为清洗反应气体。图式简单说明:第一图系习知技术之双镶嵌结构的制作流程图。第二图系本发明实施例之双镶嵌结构的制作流程图。第三图A-第三图D为根据本发明实施例之双镶嵌结构的制程剖面示意图。 |
