| 主权项 |
1.一种制造利用载体支撑之光电薄片之方法,该薄片包含多个光电层,其一起具有从入射光产生电流之能力,在与光电层相邻并平行之一侧上之背向电极层,及在另一侧上之透明导体层,并与光电层相邻并平行,其特征在于该方法包括如下顺序之步骤:提供一个暂时性基材,涂敷透明导体层,涂敷光电层,涂敷背向电极层,涂敷载体,及移除该暂时性基材。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于透明导体层系在高于光电层所能抵抗之温度下涂敷。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于暂时性基材为可挠性。4.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该载体为可挠性。5.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于透明导体层系在高于250℃,较佳系高于400℃之温度下涂敷。6.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于暂时性基材为金属、金属合金或多层金属之金属薄片。7.如申请专利范围第6项之方法,其特征在于该金属薄片为电沈积(电镀)之金属薄片。8.如申请专利范围第6项之方法,其特征在于该金属为Al或Cu。9.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于透明导电层之至少一个表面乃被加以织构。10.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于最后处理步骤后之薄片弯曲刚性乃大于任一个中间产物之弯曲刚性。11.一种制造薄膜光电薄片之方法,此薄片包含以下连续层:一个背向电极层,多个光电层,及一个透明导体层,上电极及背向电极系以串连方式连接,其特征在于涂敷载体之前径迹乃被界定在背向电极之中,而于光电层及背向电极沈积之后径迹乃被界定在透明导电层之中。12.如申请专利范围第11项之方法,其特征在于该径迹系利用雷射雕刻法或蚀刻法界定。13.如申请专利范围第11或12项之方法,其特征在于蚀刻剂薄膜之图样化涂层是被提供在背向电极及/或透明导电层之上。14.一种光电薄片,其可根据申请专利范围第1-10项中任一项之方法获得,该薄片包含以下连续层:一个反射电极层、多个光电层,其特征在于由透明导体层之侧面所面向之薄片,系具有凹入、反转之金字塔型表面织构。15.一种光电薄片,其可根据申请专利范围第1-10项中任一项之方法获得,该薄片系包含以下连续层:一个反射电极层、多个光电层、一个透明导体层,其特征在于该透明导体层为在400℃以上之温度下沈积之氟掺杂氧化锡。图式简单说明:第一图:其提供出一个以诸如铝为金属薄片形式之暂时性基材(1)。第二图:其在约550℃时利用实施APCVD使例如约600毫微米厚之F-掺杂SnO2层沈积在金属薄片(1)上之透明导体(2)。视需要可在光电层施加前使ZnO中间层(约80毫微米厚)沈积在透明导体层上(未示出)。第三图及第四图:其利用雷射蚀刻法或利用蚀刻线(3)及部份被移除之透明导体层(2)。其余部份为利用被移除材料(5)之狭窄径迹(约25微米)隔离,而其约为20毫米宽之条纹(4)。第五图:施加光电层(6)。此等将包含一或多组之p-型掺杂非晶矽层(Si-p)、本质非晶矽层(Si-i)、及n-型掺杂非晶矽层(Si-n),其总厚度约500毫微米(未个别示出)。第六图及第七图:其利用雷射蚀刻法或利用化学蚀刻剂(8)之施加以移除材料之狭窄径迹而使条纹图样(7)提供至非晶矽层(6)。使被移除材料(9)之径迹尽可能施加在靠近透明导体层中被移除之径迹(5)。第八图至第十图:其使一层约250毫微米厚之铝层(10)施加在非晶矽层(6)上,以同时当成背向电极及反射层,并利用蚀刻以移除直接相邻于并平行于该等先前所产生(9)径迹(12)中之材料以提供出条纹(11),其可能首先利用蚀刻剂(13)之提供而完成。第十一图及第十二图:其使一个载体(14)提供在背向电极(10)上,其后,(利用蚀刻)使金属箔片之暂时性基材(1)移除。所使用载体(14)将成为根据本发明制造之光电薄片之实际基材(背部,底部)。第十三图:其使保护性之透明顶涂层(15)提供至包含透明导体层(2)之最终前侧。 |
