| 主权项 |
1.一种以蚀刻达成分离包含在主体之电子装置(4)的方法,其中,电子装置系被提供在主体之一表面以及被一保护层(5)所覆盖,其特征在于:开口(7)系被提供于保护层(5)于邻接电子装置(4)间之分离区域(6)之上,在于主体之材料系被由开口(7)开始之分离区域(6)中除去,以及该保护层(5)由具有较半导体晶圆的材料的蚀刻率低的蚀刻率的材料所构成,以及,在于至少材料除去制程中,电子装置(4)是被具有材料除去特性不同于主体之除去特性之材料所局限于该主体之中。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,诸电子元件(4)系被提供于该主体之前面(2)及后面(3)。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该主体之材料是被蚀刻所除去,特别是电浆蚀刻。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该主体之材料是基本上被各向同性地除去。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该局限电装置(4)之个别区域是藉由一电位差所形成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该局限电子装置之个别区域是延迟层(8),其蚀刻率是不同于正体材料之蚀刻速率。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中,该主体是矽晶圆,以及,在于诸个别延迟层(8)包含矽及至少另一化学元素。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中,诸个别延迟层(8)是电子装置(4)之绝缘层具有一SOI结构。图式简单说明:第一图是一半导体晶圆之一部份之剖面图,其中,电子装置系在晶圆之前面及后面;及第二图是第一图之半导体晶圆之俯视图。 |
