| 主权项 |
1.一种能在一个半导体基板上面形成一个具有一第1闸电极之第1电晶体和一个具有一第2闸电极之第2电晶体之方法,该方法是具有下列之步骤:形成一个第1传导材料,其是以绝缘方式沈积在该半导体基板之一第1部分,该第1传导材料是具有一个第1工作函数;形成一个第2传导材料,其是以绝缘方式沈积在该半导体基板之一第2部分,该第2传导材料是含有该第1传导材料,但其具有一个与该第1功函数不同 之第2功函数;及其中是使用该第1传导材料来形成该第1闸电极,并使用该第2传导材料来形成该第2闸电极。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第1传导材料是含有钽(Ta),而该第2传导材料是含有TaxNy。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第1传导材料是含有钼(Mo),而该第2传导材料是含有MoxNy。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第1传导材料是含有钛(Ti),而该第2传导材料是含有TixNy。5.一种能在一个半导体基板上面形成一个具有一第1闸电极之第1电晶体和一个具有一第2闸电极之第2电晶体之方法,该方法是含有下列之步骤:形成一个传导材料,其是以绝缘方式沈积在该半导体基板,该传导材料是具有一个功函数;及变更一部分之传导材料,以便改变该已变更传导材料之功函数,该传导材料是形成该第1闸电极,而该已变更传导材料是形成该2闸电极。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该第1电晶体是一个NMOS装置,而该第2电晶体是一个PMOS装置。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该第1电晶体和该第2电晶体是形成一个CMOS装置。8.如申请专利范围第5项之方法,其中该传导材料是含有一个导体,该导体是从由钽、钼、钛和任何其结合物所构成之族群所选定者。9.如申请专利范围第5项之方法,其中该变更一部分之传导材料的步骤是含有:使该部分之传导材料曝露到一种能结合一含氮气体之电浆。图式简单说明:第一图是一个截面图,其图示一个本发明之一较佳实施例的方法所部分制成之CMOS装置。第二图是一个本发明之一较佳实施例的方法之流程图。第三图a-第三图e是截面图,其图示一个如同第二图所示之使用本发明方法所部分制成之半导体装置。第四图是一个图表,其图示不同材料之功函数。 |
