| 主权项 |
1.一种半导体元件,包含:晶片;电极垫,其系形成于该晶片上;金属膜图案,其系形成于该电极垫上;及块状物,其系置于该金属膜图案上,其中该金属膜图案于其周围端部具有更大之厚度。2.如申请专利范围第1项之半导体元件,其进一步包含保护层,其系形成于其间该金属膜图案不存在之区域内。3.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该块状物系主要由锡制成之焊料块。4.如申请专利范围第3项之半导体元件,其中该金属膜图案系由镍制成。5.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中至少该金属膜图案系以抗氧化之导电膜覆盖。6.一种半导体元件,包含:晶片;电极垫,其系形成于该晶片上;金属膜,其系形成于该电极垫上;及抗氧化之导电膜,其系置于该金属膜上,其中该金属膜图案于其周围端部具有更大之厚度。7.一种制备半导体元件之方法,其包含之步骤系:以含有包含作为核之金属元素之化合物及氨基乙酸之螯合溶液活性电极垫之表面;及藉由非电金属电镀于该电极垫表面上形成金属膜。8.如申请专利范围第7项之方法,其中:该化合物系氯化钯;且该非电金属电镀使用含有镍之电镀溶液。9.一种半导体元件,其包含:晶片;电极垫,其系形成于该晶片上;金属膜,其系形成于该电极垫上;保护层,其系形成于其中该金属膜不存在之区域内;及焊料块,其用以使该金属膜结合至基材层,其中该金属膜图案于与该保护层接触之其周围端部具有更大之厚度。图式简单说明:第一图A系包含习知技艺之半导体元件之障壁金属层之零件之放大图;第一图B系包含习知技艺之另一半导体元件之障壁金属层之零件之放大图;第二图A系本发明之一实施例之半导体元件之零件之放大图;第二图B系本发明之另一实施例之半导体元件之零件之放大图;第三图系显示制备本发明半导体元件时之于电极垫上形成金属膜之方法之流程图;第四图系显示活化用于本发明半导体元件之溶液之范例;第五图系显示用于本发明半导体元件之镍电镀溶液之例子;第六图显示藉由电镀形成于电极表面上之AU层;第七图显示习知技艺之半导体元件与本发明半导体元件之间之移除电阻之比较测试之结果;且第八图系显示经由焊料块固定至基材之本发明半导体元件。 |
