| 主权项 |
1.一种自对准式薄膜电晶体的形成方法,该方法至少包含下列步骤:提供一闸极电极在一绝缘之透明基板上;形成一第一绝缘层于该绝缘透明基底及该闸极电极上;形成一矽层于该第一绝缘层上;形成一第二绝缘层于该矽层上;形成一氧化铟锡层于该第二绝缘层上;形成一第一光阻层于该氧化铟锡层上;以该闸极电极为罩幕,利用背面曝光法,定义该第一光阻层;以该已定义之第一光阻层为罩幕,蚀刻该氧化铟锡层;蚀刻该第二绝缘层;除去该已定义之第一光阻层;以该氧化铟锡层之剩余部份及该第二绝缘层之剩余部份为罩幕,对该矽层进行离子布植,以形成源/汲极区;除去该氧化铟锡层之剩余部份;形成一第二光阻层图案于该耐火金属层上以定义源/汲极电极;及除去该第二光阻层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之绝缘透明基底选自玻璃及石英其中之一。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一绝缘层及第二绝缘层系选自氮化矽或氧化矽其中之一。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之矽层系选自非晶矽及多晶矽其中之一。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氧化铟锡层系以溅镀法形成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之背面曝光法所使用的光源选自波长范围在400-450nm的范围。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之耐火金属层系选自铬、铂、钼、钛、钽、铜、铝及其合金其中之一。8.一种自对准式薄膜电晶体的形成方法,该方法至少包含下列步骤:提供一闸极电极在一绝缘之透明基板上;形成一第一绝缘层于该绝缘透明基底及该闸极电极上;形成一非晶矽层于该第一绝缘层上;形成一第二绝缘层于该矽层上;形成一氧化铟锡层于该第二绝缘层上;形成一第一光阻层于该氧化铟锡层上;以该闸极电极为罩幕,利用背面曝光法,定义该第一光阻层;以该已定义之第一光阻层为罩幕,蚀刻该氧化铟锡层;除去该已定义之第一光阻层;蚀刻该第二绝缘层;以该氧化铟锡层之剩余部份及该第二绝缘层之剩余部份为罩幕,对该非晶矽层进行离子布植,以形成源/汲极区;除去该氧化铟锡层之剩余部份;形成一第二光阻层图案于该耐火金属层上以定义源/汲极电极;及除去该第二光阻层。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之绝缘透明基底选自玻璃及石英其中之一。10.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第一绝缘层及第二绝缘层系选自氮化矽或氧化矽其中之一。11.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之氧化铟锡层系以溅镀法形成。12.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之背面曝光法所使用的光源选自波长范围在400-450nm的光源。13.一种自对准式薄膜电晶体的形成方法,该方法至少包含下列步骤:提供一闸极电极在一绝缘之透明基板上;形成一第一绝缘层于该绝缘透明基底及该闸极电极上;形成一非晶矽层于该第一绝缘层上;形成一第二绝缘层于该矽层上;形成一铝掺杂之氧化锌层于该第二绝缘层上;形成一第一光阻层于该铝掺杂之氧化锌层上;以该闸极电极为罩幕,利用背面曝光法,定义该第一光阻层;以该已定义之第一光阻层为罩幕,蚀刻该铝掺杂之氧化锌层;除去该已定义之第一光阻层;蚀刻该第二绝缘层;以该铝掺杂之氧化锌层之剩余部份为罩幕,对该非晶矽层进行离子布植,以形成源/汲极区;除去该铝掺杂之氧化锌层之剩余部份;形成一第二光阻层图案于该耐火金属层上以定义源/汲极电极;及除去该第二光阻层。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之绝缘透明基底选自玻璃及石英其中之一。15.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之第一绝缘层及第二绝缘层系选自氮化矽或氧化矽其中之一。16.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之铝掺杂之氧化锌层系以溅镀法形成。17.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之背面曝光法所使用的光源选自波长范围在400-450nm的光源。图式简单说明:第一图显示依据传统方法,于绝缘透明基底上形成一第一导电层及一第一光阻层,然后除去光阻层之部份,以定义闸极电极区域之截面图。第二图显示依据传统方法,以第一光阻层之剩余部份为罩幕,除去第一导电层之部份,再除去第一光阻层之剩余部份的截面图。第三图显示依据传统方法,于绝缘透明基底及闸极电极上,依次形成一第一绝缘层、一非晶矽(amorphous-Si,a-Si)层、一第二绝缘层及一第二光阻层之截面图。第四图显示依据传统方法,以闸极电极为罩幕,利用背面曝光法,除去第二光阻层之部份的截面图。第五图显示依据传统方法,以第二光阻层之剩余部份为罩幕,除去第二绝缘层之部份的截面图。第六图显示依据传统方法,以第二光阻层之剩余部份及第二绝缘层之剩余部份为罩幕,对非晶矽层进行离子布植之截面图。第七图显示依据传统方法,除去第二光阻层之剩余部份,然后于第二绝缘层之剩余部份及二个掺杂的非晶矽层上,形成一耐火金属层之截面图。第八图显示依据传统方法,形成一第三光阻层于耐火金属层上,然后除去第三光阻层之部份之截面图。第九图显示依据传统方法,以第三光阻层之剩余部份为罩幕,除去耐火金属层之部份,然后除去第三光阻层之剩余部份的截面图。第十图显示依据本发明之一实施例,于绝缘透明基底上形成一第一导电层及一第一光阻层,然后除去部份之光阻层,以定义闸极电极区域之截面图。第十一图显示依据本发明之一实施例,以第一光阻层之剩余部份为罩幕,除去部份之第一导电层,再除去第一光阻层之剩余部份的截面图。第十二图显示依据本发明之一实施例,于绝缘透明基底及闸极电极上,依次形成一第一绝缘层、一非晶矽(amorphous-Si,a-Si)层、一第二绝缘层、一氧化铟锡层层及一第二光阻层之截面图。第十三图显示依据本发明之一实施例,以闸极电极为罩幕,利用背面曝光(backside exposure)法,除去部份之第二光阻层的截面图。第十四图显示依据本发明之一实施例,以第二光阻层之剩余部份为罩幕,除去部份之氧化铟锡层的截面图。第十五图显示依据本发明之一实施例,以第二光阻层之剩余部份及氧化铟锡层之剩余部份为罩幕,除去部份之第二绝缘层,然后除去第二光阻层之剩余部份的截面图。第十六图显示依据本发明之一实施例,以氧化铟锡层之剩余部份及第二绝缘层之剩余部份为罩幕,对非晶矽层进行离子布植之截面图。第十七图显示依据本发明之一实施例,除去氧化铟锡层之剩余部份,然后于第二绝缘层之剩余部份及二个掺杂的非晶矽层上,形成一耐火金属层之截面图。第十八图显示依据本发明之一实施例,形成一第三光阻层于耐火金属层上,然后除去部份之第三光阻层之截面图。第十九图显示依据本发明之一实施例,以第三光阻层之剩余部份为罩幕,除去部份之耐火金属层,然后除去第三光阻层之剩余部份的截面图。 |
