| 主权项 |
1.一种利用假图案以制作电性传导结构图案用以消除光学近接效应(optical proximity effect)以及降低临界尺度变化问题之方法,其至少包含:扩张第一尺度于该电性传导结构图案以产生第一假图案;缩减第二尺度于该第一假图案以产生第二假图案,该第一尺度大于该第二尺度;缩减第三尺度于该第一假图案以产生第三假图案,该第一尺度大于该第三尺度;及叠合该第二假图案与该第三假图案,去除该第二假图案与该第三假图案重叠之部份以产生第四假图案,每一区域之该电性传导结构图案被该第四假图案之一部份包围。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第三尺度大于该第二尺度。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一假图案之第一面积大于上述之第二假图案之第二面积,该第二假图案之第二面积大于上述之第三假图案之第三面积。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第四假图案包含一具第四尺度之环形部,该第四尺度等于上述之第三尺度与第二尺度之差。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之电性传导结构图案包含第一电性传导结构区域与第二电性传导结构区域,该第一电性传导结构区域之接触密度高于第二电性传导结构区域之接触密度,该第一电性传导结构区域与该第二电性传导结构区域相距一距离。6.如申请专利范围第5项之方法,该距离为大于两倍之第一尺度。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一假图案之第一面积大于上述之第二假图案之第二面积,该第二假图案之第二面积大于上述之第三图案之第三面积。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第四假图案包含一具第四尺度之环形部,该第四尺度等于上述之第三尺度与第二尺度之差。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第四假图案具有重叠之部份,该方法包含:收缩一第五尺度于该第四假图案以形成一第五假图案使得该第五假图案至少包含该重叠部份;扩张一第六尺度于该第五假图案以形成一第六假图案以确保该重叠部份存在;叠合该第六假图案与该第四假图案,去除该第六假图案与该第四假图案间之重叠部份以产生第七假图案;及将该电性传导结构与该第七假图案叠合。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第四假图案具有重叠之部份,该方法包含:收缩一第七尺度于该第四假图案以形成一第八假图案使得第八假图案至少包含该重叠部份;叠合该第八假图案与该第四假图案,去除该第八假图案与该第四假图案间之重叠部份以产生第九假图案;及将该电性传导结构与该第九假图案叠合。11.一种电性传导图案光罩,应用于积体电路制程,该电性传导图案光罩至少包含:呈正常解析度之电性传导图案,及呈次解析度之假图案,该假图案以封闭或半封闭方式包围上述之电性传导图案。12.如申请专利范围第11项之电性传导图案光罩,其中上述之电性传导图案包含复数个第一电性传导图案及复数个第二电性传导图案,该复数个第一电性传导图案具有相对于该复数第二电性传导图案高之图案密度。13.如申请专利范围第12项之电性传导图案光罩,其中所述假图案将上述复数个第一电性传导图案合并包围。14.如申请专利范围第12项之电性传导图案光罩,其中所述假图案将上述复数个第二电性传导图案个别包围。15.如申请专利范围第11项之电性传导图案光罩,其中上述之假图案包括环状封闭图案。16.如申请专利范围第15项之电性传导图案光罩,其中上述之假图案包括矩形环状封闭图案。17.如申请专利范围第11项之电性传导图案光罩,其中上述之假图案包括呈开放形状而构成环状封闭图案之一部份者。18.如申请专利范围第17项之电性传导图案光罩,其中上述之假图案包括呈开放形状而构成矩形环状封闭图案之一部分者。19.如申请专利范围第11项之电性传导图案光罩,其中上述之假图案包括矩形环状封闭图案与呈开放形状而构成环状封闭图案一部分两者之组合图案。图式简单说明:第一图为传统之次解析度线方法示意图。第二图为本发明之接触窗示意图。第三图为本发明第一实施例之接触窗图案示意图。第四图为本发明第一实施例之产生第一假图案之示意图。第五图为本发明第一实施例之产生第二假图案之示意图。第六图为本发明第一实施例之产生第三假图案之示意图。第七图为本发明第一实施例之产生第四假图案之示意图。第八图为本发明第二实施例之接触窗图案示意图。第九图为本发明第二实施例之接触窗图案与第四假图案重叠之示意图。第十图为本发明第二实施例之产生第五假图案之示意图。第十一图为本发明第二实施例之产生第六假图案之示意图。第十二图为本发明第二实施例之产生第七假图案之示意图。第十三图为本发明第二实施例之产生接触窗图案与第七假图案之示意图。 |
