| 主权项 |
1.一种形成动态随机存取记忆体中之自行对准接触窗的方法,至少包含:提供一底材;于该底材上形成一闸极结构,该闸极结构至少包含:一闸极氧化物层于该底材表面上,一闸极电极于该闸极氧化物层上,一氮化矽层于该闸极电极上,及一氮化矽间隙壁位于该闸极电极之侧边,该氮化矽间隙壁隔着一氧化物缓冲层而与该闸极电极及该底材间接接触;形成一介电层于该闸极结构及该底材之上;形成一孔洞穿透该介电层至该底材表面,该孔洞藉着该氮化间隙壁而自行对准至该底材表面,部分之该氮化矽间隙壁表面及部分之该氧化物缓冲层表面暴露于该孔洞内;及形成一氮氧化矽层于该孔洞内之除该底材以外的所有表面,包含部分之该氧化物缓冲层表面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之闸极电极至少包含一多晶矽层与一金属矽化物层之复合层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层至少包含氧化物。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之孔洞系以下列方法形成:形成一光阻层于该介电层上;以曝光及显影将该自行对准接触窗的图案定义于该光阻层上;利用图案化之该光阻层为罩幕,以蚀刻程序将该介电层蚀刻以形成该孔洞;及将该光阻层移除。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮氧化矽层系以沉积法将氮氧化矽形成于该孔洞内之所有表面,再以回蚀程序将位于该底材表面的氮氧化矽移除。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮氧化矽层之厚度约介于80至120埃之间。7.一种形成半导体元件中之自行对准接触窗的方法,至少包含:提供一底材;于该底材上形成一闸极结构,该闸极结构至少包含:一闸极氧化物层于该底材表面上,一闸极电极于该闸极氧化物层上,一覆盖隔绝层(cap insulating layer)于该闸极电极上,及一间隙壁位于该闸极电极之侧边,该间隙壁隔着一缓冲层而与该闸极电极及该底材间接接触;形成一介电层于该闸极结构及该底材之上;形成一孔洞穿透该介电层至该底材表面,该孔洞藉着该间隙壁而自行对准至该底材表面,部分该间隙壁表面及部分该缓冲层表面曝露于该孔洞内;及形成一保护层于该孔洞内之该底材以外的所有表面,包含曝露出之部分该缓冲层的表面。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之闸极电极至少包含一多晶矽层与一金属矽化物层之复合层。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之覆盖隔绝层至少包含氮化矽。10.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之间隙壁至少包含氮化矽。11.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之缓冲层至少包含氧化物。12.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之介电层至少包含氧化物。13.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之介电层至少包含硼磷矽玻璃(BPSG)。14.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之孔洞系以下列方法形成:形成一光阻层于该介电层上;以曝光及显影将该自行对准接触窗的图案定义于该光阻层上;利用图案化之该光阻层为罩幕,以蚀刻程序将该介电层蚀刻以形成该孔洞;及将该光阻层移除。15.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之保护层的厚度约介于80至120埃之间。16.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之保护层至少包含氮氧化矽层。17.如申请专利范围第16项之方法,其中上述之氮氧化矽层系以沉积法将氮氧化矽形成于该孔洞内之所有表面,再以回蚀程序将位于该底材表面的氮氧化矽移除。18.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之保护层至少包含氮化矽层。19.如申请专利范围第18项之方法,其中上述之氮化矽层系以沉积法将氮化矽形成于该孔洞内之所有表面,再以回蚀程序将位于该底材表面的氮化矽移除。图式简单说明:第一图及第二图系表示传统形成自行对准接触窗的方法。第三图至第七图系表示本发明所提供之形成自行对准接触窗的方法,其中第七图示出本发明的主要特征。第八图系表示本发明领域的后续制程步骤。 |
