| 主权项 |
1.一种极小开口的制造方法,其中提供一基底,包括:在该基底上形成一第一光阻层;将具有一小开口的一图案之一光罩层排列在该第一光阻层上;将该第一光阻层曝光;将该第一光阻层显影以除去该第一光阻层的一未聚合部分,其中在该第一光阻层中形成一第一开口;导入一种电浆处理制程,在该第一光阻层的一表面上形成自由基以及桥状键结;在该第一光阻层上以及该第一开口中涂布一共形的第二光阻层,其中,一部分的该共形之第二光阻层与该第一光阻层共价键结;导入一种热处理制程;将该共形的第二光阻层显影以除去该共形的第二光阻层之一未键结部分,而在该第一光阻层中形成一第二开口;通过该第二开口蚀刻暴露出的一部份该材料层,而在该材料层中形成一第三开口;以及剥除该第一以及该第二光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之极小开口的制造方法,其中该电浆处理制程系使用一种表面活化气体源。3.如申请专利范围第2项所述之极小开口的制造方法,其中该表面活化气体源是由一群气体中所选出,该群气体是由氟化氢气、氯化氢气、溴化氢气、氧气、氩气、一氧化碳气、二氧化碳气、氮气、氨气、四氟化碳气、三氟甲烷气、氯气、氟气以及溴气所组成。4.如申请专利范围第1项所述之极小开口的制造方法,其中该共形之第二光阻层,与该第一光阻层具有相同的光阻型。5.如申请专利范围第1项所述之极小开口的制造方法,其中当该共形的第二光阻层涂布在该第一光阻层上以及该第一开口中时,该第一光阻层表面上的自由基与该第二光阻层反应。6.如申请专利范围第1项所述之极小开口的制造方法,其中该热处理制程加速该共形的第二光阻层与该第一光阻层之间的键结。7.如申请专利范围第1项所述之极小开口的制造方法,其中该热处理制程的一段时期,决定该共形的第二光阻层与该第一光阻层的键结部分之一厚度。8.如申请专利范围第1项所述之极小开口的制造方法,其中该第一光阻层包括负光阻。9.如申请专利范围第1项所述之极小开口的制造方法,其中该第一光阻层包括正光阻。10.如申请专利范围第1项所述之极小开口的制造方法,其中当该共形的第二光阻层是一种正光阻时,在该共形的第二光阻层显影之前导入一曝光步骤。11.如申请专利范围第1项所述之极小开口的制造方法,其中该第二开口之一尺寸比该第一开口小。12.如申请专利范围第1项所述之极小开口的制造方法,其中该第二开口的尺寸由该第二光阻层之一厚度所决定。13.如申请专利范围第1项所述之极小开口的制造方法,其中在该材料层中的该第三开口之一种尺寸小于0.1微米。14.一种极小开口之制造方法,用以缩小该极小开口之一临限尺寸,其中提供一基底,包括:在该基底的一表面上形成一第一光阻层;将具有一小开口的一图案之光罩层排列在该第一光阻层上;将该第一光阻层曝光;将该第一光阻层显影,而在该第一光阻层中形成一第一开口;在该第一光阻层的一表面上导入一种表面处理制程,在该第一光阻层的该表面上形成自由基以及桥状键结;在该第一光阻层上以及该第一开口中形成一第二光阻层,其中一部分的该第二光阻层与该第一光阻层共价键结;以及将该第二光阻层显影以除去该第二光阻层之一未键结部分,而在该第一光阻层中形成一第二开口。15.如申请专利范围第14项所述之极小开口之制造方法,其中该表面处理制程系使用一种电浆处理制程。16.如申请专利范围第15项所述之极小开口的制造方法,其中该电浆处理制程系使用一种表面活化气体源。17.如申请专利范围第16项所述之极小开口的制造方法,其中该表面活化气体源是由一群气体中所选出,该群气体是由氟化氢气、氯化氢气、溴化氢气、氧气、氩气、一氧化碳气、二氧化碳气、氮气、氨气、四氟化碳气、三氟甲烷气、氯气、氟气以及溴气所组成。18.如申请专利范围第14项所述之极小开口的制造方法,其中该第二光阻层与该第一光阻层具有相同的光阻型。19.如申请专利范围第14项所述之极小开口的制造方法,其中在该第一光阻层上以及该第一开口中形成该第二光阻层时,该第一光阻层表面上的该自由基与该第二光阻层反应。20.如申请专利范围第14项所述之极小开口的制造方法,其中在该第一光阻层上以及该开口中形成该第二光阻层之后,再导入一种热处理制程,以加速该第二光阻层与该第一光阻层之间的键结。21.如申请专利范围第20项所述之极小开口的制造方法,其中该热处理制程的一段时期,决定该第二光阻层与该第一光阻层的键结部分之一厚度。22.如申请专利范围第14项所述之极小开口之制造方法,其中该第一光阻层包括负光阻。23.如申请专利范围第14项所述之极小开口之制造方法,其中该第一光阻层包括正光阻。24.如申请专利范围第14项所述之极小开口的制造方法,其中当该第二光阻层是一种正光阻时,在该第二光阻层显影之前导入一曝光步骤。25.如申请专利范围第14项所述之极小开口的制造方法,其中该第二开口之一尺寸比该第一开口小。26.如申请专利范围第14项所述之极小开口的制造方法,其中该第二开口之一尺寸小于0.1微米。27.如申请专利范围第14项所述之极小开口的制造方法,其中该第二开口的尺寸由该第二光阻层之一厚度所决定。图式简单说明:第一图A至第一图C系绘示依据习知技艺的一种小开口之制造流程剖面图;以及第二图A至第二图F系绘示依据本发明的实施例,一种极小开口的制造流程剖面图。 |
