| 主权项 |
1.一种波长可调之光纤可调变衰减器,包括:一光纤,用以传递一光讯号,其中,该光纤更包括一渐细区,用以控制该光讯号于该渐细区中衰减;一角锥体,用以集中传递一振动波于该光纤上,该角锥体之尖端抵接于光纤侧面;以及一压电转换器,该压电转换器与角锥体底部相连,并以一电压讯号作为其输入控制讯号,用以产生该振动波。2.如申请专利范围第1项所述之光纤可调变衰减器,其中该光纤包括一内核层与一外壳层。3.如申请专利范围第1项所述之光纤可调变衰减器,其中该渐细区包括一第一中间段、一细部段、与一第二中间段,该第一中间段与第二中间段系为该光纤与该细部段之过渡带。4.如申请专利范围第3项所述之光纤可调变衰减器,其中该细部段长度系控制该光讯号之衰减波长的频宽。5.如申请专利范围第1项所述之光纤可调变衰减器,其中该光纤系一单模光纤。6.如申请专利范围第1项所述之光纤可调变衰减器,其中该光纤系一多模光纤。7.如申请专利范围第1项所述之光纤可调变衰减器,其中该角锥体系由玻璃制成。8.如申请专利范围第1项所述之光纤可调变衰减器,其中该角锥体系由金属制成。9.如申请专利范围第1项所述之光纤可调变衰减器,其中该角锥体之尖端系抵接于该渐细区之侧。10.如申请专利范围第1项所述之光纤可调变衰减器,其中该电压讯号系由一电压源所提供。11.如申请专利范围第1项所述之光纤可调变衰减器,其中该渐细区系利用一强酸腐蚀该光纤而形成。12.如申请专利范围第11项所述之光纤可调变衰减器,其中该强酸系为一氢氟酸。13.如申请专利范围第11项所述之光纤可调变衰减器,其中该强酸系位于一第一溶液与一第二溶液间,该强酸与该第一溶液、第二溶液皆不互溶,且该第二溶液、强酸、第一溶液之密度关系为:第二溶液>强酸>第一溶液。14.如申请专利范围第13项所述之光纤可调变衰减器,其中该第一溶液系为二甲苯,该第二溶液系为二氯苯。15.如申请专利范围第13项所述之光纤可调变衰减器,其中该强酸、第一溶液与第二溶液系以一隔离管置于该第二溶液中。16.如申请专利范围第15项所述之光纤可调变衰减器,其中在该隔离管外部更包括与该第二溶液不互溶之一第三溶液,且该第三溶液之密度小于该第二溶液之密度。17.如申请专利范围第13项所述之光纤可调变衰减器,其中该渐细区包括一第一中间段、一细部段、与一第二中间段,该第一中间段与第二中间段系为该光纤与该细部段之过渡带,该第一中间段之长度与该第二中间段之长度相同,该强酸之溶液高度等于该细部段长度与该第一中间段之长度和。18.如申请专利范围第17项所述之光纤可调变衰减器,其中系以一牵曳装置拉动该光纤。19.如申请专利范围第18项所述之光纤可调变衰减器,其中该牵曳装置系以等速度拉动该光纤。20.如申请专利范围第19项所述之光纤可调变衰减器,其中拉动该光纤之长度等于该第一中间段之长度。21.如申请专利范围第1项所述之光纤可调变衰减器,其中该横向振动波之频率系用以控制该光讯号之衰减波长。22.如申请专利范围第1项所述之光纤可调变衰减器,其中该横波振动之振幅系用以控制该光讯号之衰减波长的衰减量。23.如申请专利范围第1项所述之光纤可调变衰减器,其中该渐细区长度系用以控制该光讯号之衰减波长之频宽。图式简单说明:第一图绘示依照本发明一较佳实施例的一种波长可调之光纤可调变衰减器架构图。第二图绘示乃光纤具有横向振动时之光传导模态耦合示意图。第三图A-第三图D绘示乃各模态之光讯号传导示意图。第四图绘示乃光纤之渐细区放大图。第五图绘示乃光纤渐细区制造设备之装置图。第六图绘示乃理论计算不同横向振动波频率在光纤中对光讯号衰减之光谱图。第七图绘示乃理论计算不同横向振动波的振幅对光讯号衰减之光谱图。第八图绘示乃理论计算不同细部段长度对光讯号衰减之光谱图。第九图绘示乃实验所得之不同横向振动波频率在光纤中对光讯号衰减之光谱图。第十图绘示乃实验所得之横向振动波的振幅与驱动电压对光讯号衰减之关系图。第十一图绘示乃实验所得之不同横向振动波振幅对光讯号衰减量之光谱图。第十二图绘示乃无横向振动波时光讯号在光纤中传播之强度量测影像图。第十三图绘示乃光纤作横向振动波时光讯号在光纤中传播之强度量测影像图。第十四图A-第十四图C绘示乃一应用本发明之光纤可调变衰减器的光纤讯号示意图。 |
