| 主权项 |
1.一种晶圆清洗的装置,适用于杂质粒子之超高音波振荡清洗后的晶圆清洗,包括:一清洗槽,其内部包含用以置放晶圆的卡槽,并且具有供清洗水进入的开口;以及一加热装置,用以将清洗水加热升温,而经由该开口将升温后的清洗水送入该清洗槽,以清洗晶圆。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆清洗的装置,其中更包括:(i)至少一温度感测器,用以检测出上述清洗槽中清洗水的温度,而送出一温度讯号;(ii)一加热装置控制器,其设定预定的温度,并且接收上述温度讯号,然后与该预定的温度比较,当上述温度讯号高于该预定的温度时,送出一停止加热讯号至该加热装置,当上述温度讯号低于该预定的温度时,送出开始加热讯号至该加热装置;以及(iii)一空气阀,可选择经过该加热装置升温之清洗水或是未经过该加热装置升温之清洗水,而经由该开口进入该清洗槽内。3.如申请专利范围第2项所述之晶圆清洗的装置,其中该预定的温度系介于45~55℃之间。4.如申请专利范围第2项所述之晶圆清洗的装置,其中更包括一阀控制器,其控制该空气阀,以选择升温后的清洗水或未升温之清洗水通过。5.一种晶圆清洗的装置,适用于杂质粒子之超高音波振荡清洗后的晶圆清洗,包括:(a)一清洗槽,其内部包含用以置放晶圆的卡槽,并且具有供清洗水进入的开口;(b)一加热装置,用以将清洗水加热;(c)一温度感测器,用以检测出上述清洗槽中清洗水的温度,而送出一温度讯号;(d)一加热装置控制器,其设定预定的温度,并且接收上述温度讯号,然后与该预定的温度比较,当上述温度讯号高于该预定的温度时,送出一停止加热讯号至该加热装置,当上述温度讯号低于该预定的温度时,送出开始加热讯号至该加热装置;以及(e)一空气阀,可选择经过该加热装置升温之清洗水或是未经过该加热装置升温之清洗水,而经由该开口进入该清洗槽内。6.一种晶圆清洗的方法,适用于杂质粒子之超高音波振荡清洗后的晶圆清洗,包括下列步骤:(a)将经过超高音波振荡清洗后的晶圆以升温至预定温度之清洗水清洗;以及(b)利用室温之清洗水复数次清洗上述晶圆。7.如申请专利范围第6项所述之晶圆清洗的方法,其中该超高音波振荡清洗系采用NH4OH:H2O2:H2O等于1:1:4的溶液,在约45℃下进行。8.如申请专利范围第6项所述之晶圆清洗的方法,其中步骤(a)以及(b)该清洗水系去离子水。9.如申请专利范围第6项所述之晶圆清洗的方法,其中该预定温度大约介于45~55℃。10.如申请专利范围第6项所述之晶圆清洗的方法,其中步骤(a)的清洗时间约为3分钟。11.如申请专利范围第6项所述之晶圆清洗的方法,其中该步骤(b)系以清洗水清洗5分钟,共三次。图式简单说明:第一图为习知晶圆雷射刻印后,形成热氧化层前的清洗步骤之流程图。第二图为习知晶圆清洗槽之正面剖面图。第三图为本发明实施例晶圆雷射刻印后,形成热氧化层前的清洗步骤之流程图。第四图为本发明实施例晶圆清洗槽之正面剖面图。 |
