| 主权项 |
1.一种半导体晶圆加工带,包含一永久性背衬,及一 层非感压黏着剂于永久性背衬上;非感压黏着剂包 含一种共聚物包含至少一种第一共聚合单烯属未 饱和单体,至少一种第二共聚合单烯属未饱和单体 ,及至少一种共聚合非离子性交联剂;其中该第二 单烯属未饱和单体为具有均聚物玻璃化温度高于 第一单烯属未饱和单体之均聚物玻璃化温度之加 强用单体;及进一步其中该黏着剂于胶带施用至晶 圆一面且去除后不会大致造成晶圆之光密度改变 。2.如申请专利范围第1项之半导体晶圆加工带,其 中该非感压黏着剂具有于室温之储存模量大于1.0 105巴斯卡,且不大于5.0107巴斯卡。3.如申请专利 范围第1项之半导体晶圆加工带,其中该非感压黏 着剂不含脱逃性或迁移性成分。4.如申请专利范 围第1项之半导体晶圆加工带,其进一步包含一半 导体晶圆于黏着剂暴露层上。5.如申请专利范围 第1项之半导体晶圆加工带,其具有对包含选自包 括矽、聚醯亚胺、氧氮化矽、及其组合之材料之 基材具有初抗撕黏着性5克/线性寸宽至500克/线性 寸宽;及于周围条件下接触该基材停驻7日后之抗 撕黏着性为5克/线性寸宽至500克/线性寸宽。6.一 种半导体晶圆加工带,包含一永久性背衬,及一层 非感压黏着剂于永久性背衬上,其中该黏着剂包含 一种共聚物包含至少一种共聚合单烯属未饱和单 体具有均聚物玻璃化温度不高于0℃,至少一种共 聚合单烯属未饱和加强用单体具有均聚物玻璃化 温度至少10℃,及至少一种共聚合非离子性交联剂, 但该非离子性交联剂非为胺基甲酸酯丙烯酸酯。7 .如申请专利范围第6项之半导体晶圆加工带,其中 该非感压黏着剂具有于24℃之储存模量为1.0106巴 斯卡至5.0107巴斯卡。8.一种半导体晶圆加工带,包 含一永久性背衬,及一层非感压黏着剂于永久性背 衬上,其中该黏着剂主要系由一种共聚物组成,该 共聚物包含至少一种共聚合单烯属未饱和单体具 有均聚物玻璃化温度不高于0℃,至少一种共聚合 单烯属未饱和加强用单体具有均聚物玻璃化温度 至少10℃,及至少一种共聚合非离子性交联剂选自 包括丙烯酸系交联单体,烯属未饱和化合物其于激 励态可提取氢,及其混合物。9.一种半导体晶圆加 工带,包含一永久性背衬,及一层非感压黏着剂于 永久性背衬上;其中该黏着剂具有于室温之储存模 量大于1.0105巴斯卡,及包含一种共聚物包含至少 一种非第三烷基醇之共聚合丙烯酸或甲基丙烯酸 酯,其具有均聚物玻璃化温度不高于0℃,其中该烷 基平均含有4至14个碳原子;至少一种加强用单官能 丙烯酸系单体,其具有均聚物玻璃化温度至少10℃; 及至少一种共聚合非离子性光交联剂,但该非离子 性光交联剂非为胺基甲酸酯丙烯酸酯;及进一步其 中该胶带于施用至基材时以及于周围条件下接触 基材停驻7日后,具有对包含选自包括矽、聚醯亚 胺、氧氮化矽及其组合之材料之基材具有抗撕黏 着性5克/线性寸宽至500克/线性寸宽。10.一种加工 处理半导体晶圆之方法,该方法包含下列步骤: (a)提供一半导体晶圆; (b)黏着性接合半导体晶圆至一半导体晶圆加工带 之黏着剂表面,该带包含一永久性背衬及一层非感 压黏着剂于背衬上,该黏着剂包含一种共聚物含有 至少一种非第三烷基醇之共聚合丙烯酸或甲基丙 烯酸酯,其具有均聚物玻璃化温度不高于0℃,其中 该烷基平均含有4至14个碳原子;至少一种加强用单 官能丙烯酸系单体,其具有均聚物玻璃化温度至少 10℃;及至少一种共聚合非离子性光交联剂,但该非 离子性光交联剂非为胺基甲酸酯丙烯酸酯; (c)加工处理半导体晶圆,其经由研磨晶圆背侧或将 晶圆切割成为积体电路半导体晶片而加工处理;及 (d)撕离胶带,而晶圆之光学密度大致未改变。 |
