| 主权项 |
1.一种在低温空气分离单元中萃取氪、氙或两者 之方法,其中氪和氙系浓缩于一种氪-氙浓缩物中, 并且其系藉由蒸馏的方法自氪-氙浓缩物中萃取出 氪气流、氙气流或两者,其改良之处在于:氪-氙浓 缩物、氪流和氙流中至少有一种系以与含有叶矽 酸盐之固态吸着剂接触来纯化,藉此使得含氟杂质 、含氯杂质或两者自氪-氙浓缩物、氪流、氙流或 其组合物中去除。2.如申请专利范围第1项之方法, 其中在该固态吸着剂中进行纯化之后,水、二氧化 碳、氧气或其混合物系自氪-氙浓缩物、氪流、氙 流或其组合物中去除。3.如申请专利范围第2项之 方法,其中水份、二氧化碳或两者的去除系以分子 筛吸附剂来进行。4.如申请专利范围第1项之方法, 其中氪-氙浓缩物、氪流和氙流中至少一者的纯化 系在1巴至10巴之间的压力下进行。5.如申请专利 范围第4项之方法,其中氪-氙浓缩物、氪流和氙流 中至少一者系在2巴至3巴之间的压力下进行纯化 。6.如申请专利范围第2项之方法,其中在氪-氙浓 缩物、氪流和氙流中至少一者的纯化系在1巴至10 巴之间的压力下进行。7.如申请专利范围第6项之 方法,其中在氪-氙浓缩物、氪流和氙流中至少一 者的纯化操作系在2巴至3巴之间的压力下进行。8. 如申请专利范围第3项之方法,其中在氪-氙浓缩物 、氪流和氙流中至少一者的纯化操作系在1巴至10 巴之间的压力下进行。9.如申请专利范围第8项之 方法,其中在氪-氙浓缩物、氪流和氙流中至少一 者的纯化系在2巴至3巴之间的压力下进行。10.如 申请专利范围第1项之方法,其中在氪-氙浓缩物、 氪流和氙流中至少一者的纯化系在300℃至600℃之 间的温度下进行。11.如申请专利范围第10项之方 法,其中在氪-氙浓缩物、氪流和氙流中至少一者 的纯化系在450℃至550℃之间的温度下进行。图式 简单说明: 第一图之说明,将可对本发明的其它特性和优点有 更深入的了解,其所标示的是萃取氪和氙之空气分 离单元的部分制程图。 |
