DIODE SCHOTTKY SUR SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM

摘要

L'invention concerne une diode Schottky verticale comprenant une couche de carbure de silicium (12) de type N à faible niveau de dopage formée par épitaxie sur un substrat de carbure de silicium (11) à fort niveau de dopage. La périphérie de la zone active de la diode est revêtue d'une couche épitaxiée (15) de carbure de silicium de type P. Une tranchée (16) traverse la couche épitaxiée de type P et pénètre dans au moins une partie de la hauteur de la couche épitaxiée de type N au-delà de la périphérie de la zone active. Le niveau de dopage de la couche épitaxiée de type P est choisi pour que, pour la tension maximale que la diode est susceptible de supporter, les équipotentielles correspondant à environ 1/ 4 à 3/ 4 de la tension maximale se prolongent jusqu'à la tranchée.