Isolationsverbesserung bei Hochleistungs-Halbleitermodulen

摘要

Die vorliegende Erfindung offenbart ein Halbleitermodul mit verbesserter Teilentladungsfestigkeit. Das Halbleitermodul umfasst eine Grundschicht (2), eine erste Metallisierung (3), eine zweite Metallisierung (5) sowie mindestens ein Halbleiterelement (6), die übereinander angeordnet sind. Erfindungsgemäß ist in der Grundschicht (2) und/oder der Isolationsschicht (3) in einem Bereich unter einer Kante der sich in einer Ebene darüber befindlichen ersten bzw. zweiten Metallisierung (4, 5) eine Aussparung (10) derart ausgebildet, dass die Kante keine Verbindung mit der sich in der Ebene darunter befindlichen Grundschicht (2) und/oder Isolationsschicht (3) hat. Das gesamte Halbleitermodul ist in eine Gelmasse (7) eingegossen. Auf diese Weise wird ein durch die jeweilige Metallisierungskante nur von der Gelmasse (7) umgeben, so dass Teilentladungen beträchtlich reduziert werden.