| 发明名称 | 多级快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种多级EEPROM单元及其制造方法。EEPROM单元包括:一个浮动栅极,通过下面的隧道氧化层与硅衬底电隔离;第一电介质层,形成于浮动栅极的顶部;第一控制栅极,形成在浮动栅极上,并且通过第一电介质层与浮动栅极电隔离;第二电介质层,形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上;第二控制栅极,形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上,并且通过第二电介质层与第一控制栅极电隔离;以及源极和漏极,它们形成在衬底中,并且与第二控制栅极两边自对准。 | ||
| 申请公布号 | CN1301043A | 申请公布日期 | 2001.06.27 |
| 申请号 | CN00126800.7 | 申请日期 | 2000.12.22 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 蒋尚焕;金基锡;李根雨;朴成基 |
| 分类号 | H01L27/115;H01L21/8247 | 主分类号 | H01L27/115 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1．一种多级快速EEPROM单元，包括：一个浮动栅极，它通过下面的隧道氧化层与一个硅衬底电隔离；第一电介质层，它形成于浮动栅极的顶部；第一控制栅极，它形成在浮动栅极上，并且通过第一电介质层与浮动栅极电隔离；第二电介质层，它形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上；第二控制栅极，它形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上，并且通过第二电介质层与第一控制栅极电隔离；和一个源极和一个漏极，它们形成在衬底中，并且与第二控制栅极两边自对准。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||