| 发明名称 | 与硅具有稳定结晶界面的半导体结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的制造方法,包括以下工序:提供具有表面(12)的硅衬底(10);在硅衬底表面上形成界面(14),该界面的特征在于硅、氮和金属的单原子层;和在界面上形成一层或多层单晶氧化物(26)。该界面包括硅、氮和MSiN<SUB>2</SUB>形式的金属的原子层,M是金属。在第二实施例中,该界面包括硅、金属以及BaSi[N<SUB>1－x</SUB>O<SUB>x</SUB>]<SUB>2</SUB>形式的氮和氧的混合物,其中M是金属,X是0≤X<1。 | ||
| 申请公布号 | CN1301038A | 申请公布日期 | 2001.06.27 |
| 申请号 | CN00136603.3 | 申请日期 | 2000.12.15 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 俞志毅;王军;拉文德拉纳特·德鲁帕德;加迈尔·拉姆达尼 |
| 分类号 | H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种半导体结构的制造方法，其特征在于包括以下工序：提供具有表面(12)的硅衬底(10)；在硅衬底表面上形成界面(14)，所述界面的特征在于硅、氮或氮和氧的混合物以及金属的单原子层；和在界面上形成一层或多层单晶材料(26)。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||