| 主权项 |
1、一种集成电路的制造方法，包括：(a)在P型硅半导体衬底上形成氧化硅垫层和氮化硅；(b)利用光刻技术形成对准标记光致抗蚀剂图案，对准标记光致抗蚀剂图案外的区域均为暗区；(c)以所述“对准标记光致抗蚀剂图案”作为蚀刻掩模，利用蚀刻技术蚀去“对准标记区域”的氮化硅以形成“氮化硅对准标记”在“对准标记区域”以外的区域则为“氮化硅层”覆盖住的“P型硅半导体衬底”；(d)去除所述“对准标记光致抗蚀剂图案”；(e)利用光刻技术在所述“阱区区域”形成N阱区光致抗蚀剂图案；(f)以所述N阱区光致抗蚀剂图案作为离子注入掩模，透过所述“氮化硅层”和“氧化硅垫层”进行N型离子注入，以在P型硅半导体衬底形成N掺杂区域；(g)去除所述N阱区光致抗蚀剂图案；(h)利用光刻技术在所述“阱区区域”形成P阱区光致抗蚀剂图案；(i)以所述P阱区光致抗蚀剂图案作为离子注入掩模，透过所述“氮化硅层”和“氧化硅垫层”进行P型离子注入，以在P型硅半导体衬底形成P掺杂区域；(j)去除所述P阱区光致抗蚀剂图案；(k)利用光刻技术在所述“P型硅衬底”形成主动区光致抗蚀剂图案，所述“主动区光致抗蚀剂图案”在所述“阱区区域”局部露出所述“氮化硅层”；(l)以所述“主动区光致抗蚀剂图案：作为蚀刻掩模，利用等离子体蚀刻技术蚀去局部露出的“氮化硅层”以形成“窗口”；利用光刻技术形成P阱区光致抗蚀剂图案，用P离子进行阱区深注入，接着除去P阱区光致抗蚀剂图案；(m)在含氧气的高温环境中，以剩余的所述“氮化硅层”作为氧化掩模，在所述“窗口”区域形成场氧化层，形成场氧化层的同时也完成深注入；(n)去除剩余的“氮化硅层”和“氧化硅垫层”。 |
