| 摘要 |
<p>Integrierte dynamische Speicherzelle (1) mit geringer Ausbreitungsfläche auf einem Halbleitersubstrat, die einen Auswahl-MOSFET (2) mit einem Gatenanschluss-Bereich (8, 33), der mit einer Wortleitung WL verbunden ist, einem Sourceanschluss-Dotierungsbereich (9, 26), der mit einer Bitleitung BL verbunden ist, und mit einem Drainanschluss-Dotierungsbereich (11, 27) und einen Speicher-MOSFET (3) mit einem Gateanschluss-Bereich (15, 32), der über eine dünne dielektrische Schicht (35) an ein Verbindungs-Dotierungsgebiet (12, 27) angeschlossen ist, welches einen Sourceanschluss-Dotierungsbereich (13) des Speicher-MOSFETs (3) mit dem Drainanschluss-Dotierungsbereich (11) des Auswahl-MOSFETs (2) verbindet, und mit einem Drainanschluss-Dotierungsbereich (14, 24), der an eine Versorgungsspannung VDD anliegt, aufweist, wobei der Auswahl-MOSFET (2) und der Speicher-MOSFET (3) in einem in das Halbleitersubstrat geätzten Graben (21) an den Seitenwänden (28, 29) des Grabens (21) derart angeordnet sind, dass sie einander gegenüberliegen und das Verbindungs-Dotierungsgebiet (27) den Boden des geätzten Grabens (21) bildet. <IMAGE> <IMAGE></p> |
