发明名称 一种以氟涂布之半导体表面之制造方法
摘要 根据本发明提供一种制作用氟涂布表面之方法,包括如下之步骤:a)在一反应室中备妥一半导体基质;b)用水及/或醇润湿基质表面;c)将一种氟化物引导至基质表面,产生洁净而涂有氟之半导体表面;d)将氟化物从反应室除去;和e)在已净化而涂氟之半导体表面湿以一混合物,含有至少10容积%之水和至少l0容积%之醇,产生洁净而定量涂氟之半导体表面。
申请公布号 TW442832 申请公布日期 2001.06.23
申请号 TW088104677 申请日期 1999.03.24
申请人 西门斯股份有限公司 发明人 亚历山大屈汪特纳;古伦英纳兹伯格;巴巴拉富罗屈利;安德鲁斯古拉索;马丁克伯;亚历山大马修斯
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种制作用氟涂复之表面之方法,其特征为其包括以下步骤:a)在一反应室中备妥一半导体基质;b)用水及/或醇润湿基质表面;c)一种含氟化合物被引导至基质表面,使产生洁净而有氟涂复之半导体表面;d)含氟化合物从反应室被除去;和e)已净化而涂氟之半导体表面被湿以一混合物,含有至少10容积%之水和至少10容积%之醇,使产生洁净而涂有预定量之氟之半导体表面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在于以甲醇或乙醇作为醇。3.如申请专利范围第1项之方法,其中在于以HF(氟化氢)气体作为含氟化合物。4.如申请专利范围第1至3项中之任一项之方法,其中在于水和醇是以水蒸汽或醇蒸汽形态被引导至基质表面。5.如申请专利范围第1至3项中之任一项之方法,其中在于步骤b)之后降低反应室内之压力,使仅有一薄的润湿层留存于基质表面上。6.如申请专利范围前第1至3项中之任一项之方法,其中在于含氟化合物藉由压力之降低而从反应室被除去,其间最好将水及/或醇以及在基质表面净化所形成的反应生成物从基质表面除去。7.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,其中在于最后以HF气体以及臭氧/或氧引导至已洁净而有氟涂复之半导体表面。图式简单说明:第一图表示示意之所谓「丛集机具」,用于实施本发明方法。
地址 德国