| 摘要 |
所揭示者为一种用于半导体装置之浓缩化学物质的方法,其包括以下步骤,利用与样品容器隔开的高能量光源加热样品容器,经由注射孔将高温气体注入样品容器,使化学物质蒸发,藉着气体通过样品容器上之气体出口所形成的压力将蒸发的化学物质排放。也揭示一种用于半导体装置的浓缩化学物质的装置,其包括含样品供应窗的样品容器，气体注射孔和气体出口,高能量光源,其与样品容器隔开,以加热样品容器,气体供应来源,经由样品容器的气体注射孔供应气体,气体加热装置,其介于样品容器和气体供应来源之间,以加热由气体供应来源所提供的气体。因此,本发明中,可以尽可能的防止样品的损失,高蒸气压的化学物质可在短时间内被浓缩。 |
| 主权项 |
1.一种藉蒸发作用以浓缩用于半导体装置的化学品的方法,其包括以下步骤:以位于加容器和样品之间的高能量光源照射而加热样品容器;经由容器注射孔将高温气体注入样品容器而蒸发化学品;和藉着气体压力将蒸发的化学品经由在样品容器上的气体出口排出;其中高能量光源的加热温度介于230℃至250℃之间,且氮气温度介于180℃至200℃之间。2.如申请专利范围第1项的方法,其中高温气体为氮气。3.一种浓缩用于半导体装置的化学物质的装置;一样品容器,其具备样品供应窗,气体注射孔和气体出口;一高能量光源,其系设置于与样品容器隔开处,用以加热样品容器;一气体供应来源,用以经样品容器的气体注射孔供应气体;一气体加热装置,其系设置于样品容器和气体供应来源之间,装置加热由气体供应来源所供应的气体;和一冷凝器,用以冷凝由样品容器的气体出口所排出的气体。4.如申请专利范围第3项的装置,其更包括一化学物质收集器,用以收集冷凝且由冷凝器排出的液体。5.如申请专利范围第3项的装置,其更包括一承载元件,以倾斜方式承载样品容器。6.如申请专利范围第5项的装置,其更包括一光罩,其围绕样品容器和高能量光源。7.如申请专利范围第3项的装置,其中样品容器系由石英或铁氟龙制成。8.如申请专利范围第3项的装置,其中高能量光源为红外灯。9.如申请专利范围第6项的装置,其中光罩的内壁涂覆反射层。图式简单说明:第一图为本发明一较佳具体实施例中,用于半导体装置之浓缩化学物质的方法和设备的示意图。 |
