发明名称 除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二
摘要 一种除去制作焊垫(bonding pad)接触窗光阻之方法(发明专利申请案号第八七一二一八五二号)之追加二,系针对母案中形成一自然氧化层于焊垫表面前,配合一电浆处理步骤;或于母案中之移除光阻制程完成后,配合一湿式清洗步骤,将焊垫表面上之含氟物质清除,解决焊垫表面因为含氟物质所造成之晶格缺陷(crystaldefects)的问题,避免焊垫在进行打线程序时,因所述晶格缺陷而产生焊垫表面与接线接触不良而容易脱落或打线失败的现象,所述现象将导致元件品质及产品良率降低。
申请公布号 TW442908 申请公布日期 2001.06.23
申请号 TW087121852A02 申请日期 1999.10.29
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 吕祯祥;方文良;王治平;李宙峰
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 郑煜腾 台北巿松德路一七一号二楼
主权项 1.一种除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,系包括:(a)在一已制作出最上层导线及焊垫之半导体基板上形成一保护层;(b)形成具焊垫接触窗图案之光阻于所述保护层上;(c)利用含氟碳化物之电浆蚀刻开启焊垫接触窗;(d)利用含氩之电浆对焊垫表面进行处理;(e)形成自然氧化层(native oxide)于焊垫表面;(f)移除所述光阻层。2.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述导线及焊垫系为铝(Al)金属材质。3.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述导线及焊垫系为铝铜(AlCu)材质。4.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述导线及焊垫系为铝矽铜(AlSiCu)材质。5.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述含氩电浆处理之氩气流量系介于300sccm至600sccm之间。6.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述含氩电浆处理之反应压力系介于200mTorr至500mTorr之间。7.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述含氩电浆之反应功率系介于1000W至1600W之间。8.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述含氩电浆之反应时间系介于10秒至60秒之间。9.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述形成自然氧化层系利用含氧气(O2)之电浆进行处理所形成。10.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述之自然氧化层系为氧化铝(Al2O3)。11.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述移除光阻层之步骤系为两阶段蚀刻。12.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述两阶段蚀刻之第一阶段系为湿式蚀刻。13.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述两阶段蚀刻之第二阶段系为乾式蚀刻。14.一种除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,系包括:(a)在一已制作出最上层金属连线及焊垫之半导体基板上形成保护层;(b)形成具焊垫接触窗图案之光阻于所述保护层上;(c)利用含氟碳化物之电浆蚀刻开启焊垫接触窗;(d)形成自然氧化层(native oxide)于焊垫表面;(e)移除所述光阻层;(f)在进行打线程序前,利用APM(Ammonia Hydroxide,HydrogenPeroxide Mixture)蚀刻液移除将所述焊垫表面之晶格缺陷。15.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述导线及焊垫系为铝(Al)金属材质。16.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述导线及焊垫系为铝铜(AlCu)材质。17.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述导线及焊垫系为铝矽铜(AlSiCu)材质。18.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述形成自然氧化层系利用含氧气(O2)之电浆进行处理所形成。19.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述之自然氧化层系为氧化铝(Al2O3)。20.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述移除光阻层之步骤系为两阶段蚀刻。21.如申请专利范围第20项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述两阶段蚀刻之第一阶段系为湿式蚀刻。22.如申请专利范围第20项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述两阶段蚀刻之第二阶段系为乾式蚀刻。23.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述APM蚀刻液之主要混合成份系为NH4OH、H2O2及H2O。24.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述APM蚀刻液之主要混合成份比例系为NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5。25.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述APM蚀刻液之蚀刻处理时间系介于30秒至10分钟之间。图式简单说明:第一图为本追加发明制作焊垫接触窗之剖面示意图。
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