主权项 |
1.一种除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,系包括:(a)在一已制作出最上层导线及焊垫之半导体基板上形成一保护层;(b)形成具焊垫接触窗图案之光阻于所述保护层上;(c)利用含氟碳化物之电浆蚀刻开启焊垫接触窗;(d)利用含氩之电浆对焊垫表面进行处理;(e)形成自然氧化层(native oxide)于焊垫表面;(f)移除所述光阻层。2.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述导线及焊垫系为铝(Al)金属材质。3.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述导线及焊垫系为铝铜(AlCu)材质。4.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述导线及焊垫系为铝矽铜(AlSiCu)材质。5.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述含氩电浆处理之氩气流量系介于300sccm至600sccm之间。6.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述含氩电浆处理之反应压力系介于200mTorr至500mTorr之间。7.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述含氩电浆之反应功率系介于1000W至1600W之间。8.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述含氩电浆之反应时间系介于10秒至60秒之间。9.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述形成自然氧化层系利用含氧气(O2)之电浆进行处理所形成。10.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述之自然氧化层系为氧化铝(Al2O3)。11.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述移除光阻层之步骤系为两阶段蚀刻。12.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述两阶段蚀刻之第一阶段系为湿式蚀刻。13.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述两阶段蚀刻之第二阶段系为乾式蚀刻。14.一种除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,系包括:(a)在一已制作出最上层金属连线及焊垫之半导体基板上形成保护层;(b)形成具焊垫接触窗图案之光阻于所述保护层上;(c)利用含氟碳化物之电浆蚀刻开启焊垫接触窗;(d)形成自然氧化层(native oxide)于焊垫表面;(e)移除所述光阻层;(f)在进行打线程序前,利用APM(Ammonia Hydroxide,HydrogenPeroxide Mixture)蚀刻液移除将所述焊垫表面之晶格缺陷。15.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述导线及焊垫系为铝(Al)金属材质。16.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述导线及焊垫系为铝铜(AlCu)材质。17.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述导线及焊垫系为铝矽铜(AlSiCu)材质。18.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述形成自然氧化层系利用含氧气(O2)之电浆进行处理所形成。19.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述之自然氧化层系为氧化铝(Al2O3)。20.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述移除光阻层之步骤系为两阶段蚀刻。21.如申请专利范围第20项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述两阶段蚀刻之第一阶段系为湿式蚀刻。22.如申请专利范围第20项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述两阶段蚀刻之第二阶段系为乾式蚀刻。23.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述APM蚀刻液之主要混合成份系为NH4OH、H2O2及H2O。24.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述APM蚀刻液之主要混合成份比例系为NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5。25.如申请专利范围第14项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法追加二,其中所述APM蚀刻液之蚀刻处理时间系介于30秒至10分钟之间。图式简单说明:第一图为本追加发明制作焊垫接触窗之剖面示意图。 |