| 主权项 |
1.一种检测步进机(stepper)其投射透镜(project lens)表面污染程度之方法,该方法至少包含下列步骤:提供一半导体底材,其中该半导体底材上表面具有一光阻层;提供一检测光罩,其中该检测光罩上具有复数个非透光区域与复数个透光区域,且每一个该非透光区域周围均被邻接的该透光区域所环绕,用以增强绕射效应;使用该步进机对该光阻层进行曝光程序,其中可根据不同的曝光能量与焦距,而定义出复数个检测图案于该光阻层上;且观察该复数个检测图案,而判定该投射透镜表面污染程度。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之光阻层为负光阻。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之透光区域所占之面积大于或等于50%。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之透光区域具有约1-15m的维度。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之透光区域为多边形区域。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述检测光罩上具有不同维度之该透光区域。7.一种检测步进机(stepper)其投射透镜(project lens)表面污染程度之方法,该方法至少包含下列步骤:提供一半导体底材,其中该半导体底材上表面具有一光阻层;提供一检测光罩,其中该检测光罩上具有透光特性不同之第一区域与第二区域,且每一个第一区域皆被相邻接第二区域所环绕,以便增强绕射效应;使用该步进机对该光阻层进行曝光程序,其中可根据不同的曝光能量与焦距,而定义出复数个检测图案于该光阻层上;且根据所定义之该复数个检测图案,而判定该投射透镜表面污染程度。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之光阻层为负光阻。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第一区域为非透光区,且该第二区域为透光区。10.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第二区域所占面积大于或等于50%。11.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之第一区域与该第二区域皆具有约1-15m的维度。12.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之第一区域与该第二区域皆为多边形区域。13.如申请专利范围第7项之方法,其中在上述检测光罩上具有不同维度之该第一区域。14.一种检测步进机(stepper)其投射透镜(project lens)表面污染程度之方法,该方法至少包含下列步骤:提供一半导体底材,其中该半导体底材上表面具有一光阻层;提供一检测光罩,其中该检测光罩上具有复数个矩阵图案,且每一个矩阵图案包含了复数个非透光区域与透光区域,而每一个该非透光区域的周围,均被彼此邻接的该透光区域所环绕,用以增强绕射效应;使用该步进机与该检测光罩,对该光阻层进行曝光程序,其中可根据不同的曝光能量与焦距,而定义出复数组检测图案于该光阻层上,其中每一组检测图案均包括了该复数个矩阵图案;且根据所定义之该复数组检测图案,而判定该投射透镜表面污染程度。15.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之光阻层为负光阻。16.如申请专利范围第14项之方法,其中在上述每一个矩阵图案中透光区域所占之面积大于或等于50%。17.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之透光区域具有约1-15m的维度。18.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之透光区域为多边形区域。19.如申请专利范围第14项之方法,其中上述每一个矩阵图案均具有不同维度的透光区域。图式简单说明:第一图为影像感测元件之截面图,显示根据目前业界技术所制作CMOS影像感测元件其相关设计;第二图为步进机之部份结构图,显示曝光光源经由光罩、投射透镜,投射曝光光线至半导体底材上之步骤;第三图为检测光罩之俯视图,显示根据本发明所设计用以增强所定义图案其绕射现像之检测光罩;第四图A-D为检测光罩之俯视图,显示根据本发明较佳实施例所设计之检测光罩;第五图为半导体晶圆之俯视图,显示利用本发明所提供之检测光罩与步进机,在不同的曝光条件下,于半导体晶圆上所定义之图案;第六图A-B为检测光罩之俯视图,显示根据本发明所设计之具有三角形透光区域之检测光罩;第七图为检测光罩之俯视图,显示根据本发明所设计之具有五角形透光区域之检测光罩;及第八图为检测光罩之俯视图,显示根据本发明所设计之具有六角形透光区域之检测光罩。 |
