| 主权项 |
1.一种镶嵌式铜导线的制造方法,适用于表面具有一介电层的半导体晶圆,且该介电层表面形成复数个凹槽,包括下列步骤:(a)利用电化学沈积法全面性地形成一铜金属层,该铜金属层填入该等复数个凹槽,且该铜金属层于接近该半导体晶圆的边缘处具有一凸出部;(b)在一既定速度下旋转该半导体晶圆,且利用一铜蚀刻液去除该凸出部;以及(c)平坦化该铜金属层,以在该等复数个凹槽内形成镶嵌式铜导线。2.如申请专利范围第1项所述之镶嵌式铜导线的制造方法,其中步骤(b)系利用一旋转蚀刻机完成,且该该旋转蚀刻机具有一喷嘴,用以供给该铜蚀刻液于该凸出部。3.如申请专利范围第2项所述之镶嵌式铜导线的制造方法,其中该既定速度系介于2000-6000rpm之间。4.如申请专利范围第2项所述之镶嵌式铜导线的制造方法,其中该铜蚀刻液包括醋酸、硝酸、磷酸及双氧水。5.如申请专利范围第1项所述之镶嵌式铜导线的制造方法,其中步骤(c)系利用化学机械研磨法进行该铜金属层的平坦化。6.一种镶嵌式导线的制造方法,适用于表面具有一介电层的半导体晶图,且该介电层表面形成有复数个凹槽,包括下列步骤:(a)全面性地形成一金属层,该金属层填入该等复数个凹槽,且该金属层于接近该半导体晶圆的边缘处具有一凸出部;(b)在一既定速度下旋转该半导体晶圆,且利用一金属蚀刻液去除该凸出部;以及(c)平坦化该金属层,以在该等复数个凹槽内形成镶嵌式导线。7.如申请专利范围第6项所述之镶嵌式铜导线的制造方法,其中步骤(b)系利用一旋转蚀刻机完成,且该该旋转蚀刻机具有一喷嘴,用以供给该金属蚀刻液于该凸出部。8.如申请专利范围第7项所述之镶嵌式铜导线的制造方法,其中该既定速度系介于2000~6000rpm之间。9.如申请专利范围第6项所述之镶嵌式铜导线的制造方法,其中步骤(c)系利用化学机械研法进行该金属层的平坦化。图式简单说明:第一图为利用电化学沈积法于半导体晶圆表面形成铜金属层的过程中,半导体晶圆与电极之关系上视图。第二图为习知利用电化学沈积法于半导体晶圆表面形成铜金属层之剖面示意图。第三图(a)为将第二图所示之铜金属层平坦化之后之剖面示意图。第三图(b)为第三图(a)之部分放大图。第四图为根据本发明实施例利用电化学沈积法于半导体晶圆表面形成铜金属层之剖面示意图。第五图为将第四图所示之铜金属层去边处理后之剖面示意图。第六图(a)为将第五图所示之铜金属层平坦化之后之剖面示意图。第六图(b)为第六图(a)之部分放大图。 |
