| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体装置,包括:至少一非挥发性记忆体单元,其用来储存资料,其中该非挥发性记忆体单元具有一源极、一汲极、一浮置闸极、一控制闸极;一高电压产生电路,其用来产生一施加到该控制闸极之第一高电压、一施加到该汲极之第二高电压,以回应一第一控制信号;一电压准位感测电路,其在该第一与第二高电压上升至其个别目标准位时,用来产生一脉冲信号;一程式化控制器,其在该第二高电压施加到汲极时,用来产生一指示时间点之第二控制信号,以回应该脉冲信号;以及一写入驱动电路,其以该第二高电压来驱动该非挥发性记忆体之汲极,以回应该第二控制信号。2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体装置,更包括一指令暂存器,其用来产生一程式化致能信号,以回应指令码,该指令码是由以一写入致能信号从外部所同步连续供应之位址与资料来界定,其中该程式化控制器产生第一控制信号,以回应该程式化致能信号。3.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体装置,其中该一高电压比电源供应电压高,而该第二高电压是介于该第一高电压与该电源供应电压。4.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体装置,其中该电压准位感测电路包括:一第一准位检测器,其在该第一高电压上升至其目标准位时,用来产生一第一检测信号,以回应该第一控制信号;一第二准位检测器,其在该第二高电压上升至其目标准位时,用来产生一第二检测信号,以回应该一控制信号;一脉冲产生器,其启动该第一与第二检测信号时,用来产生该脉冲信号,以回应该第一控制信号。5.如申请专利范围第4项所述之非挥发性记忆体装置,其中该第一与第二准位检测器个别包括:一第一电阻,其具有一耦接到一对应高准位之第一端;一第二电阻,其具有一耦接到该第一电阻之一第二端、一接地之第二端;一比较器,其具有一耦接到该第一与第二电阻之一连接点之第一输入端、一耦接到一参考电压之第二输入端;以及一NOR闸,其具有一耦接到该比较器之一输出端之第一输入端、一经由一反相器耦接到该第一控制信号之第二输入端、;一输出一对应检测信号之输出端。6.如申请专利范围第5项所述之非挥发性记忆体装置,其中该一与第二准位侦检器个别更包括一MOS电晶体,该MOS电晶体耦接到该第二电阻之第二端与一接地电压,并且其导通/不导通是依该第一控制信号。7.如申请专利范围第4项所述之非挥发性记忆体装置,其中该脉冲产生器包括:一NAND闸极,其具有一第一输入端、一第二输入端、一第三输入端、其分别接收该第一检测信号、第二检测信号、第一控制信号;以及一短脉冲产生器,其连接到该NAND闸极之一输出端,其在输出自该NAND闸极之信号从一第一逻辑准位变成一第二逻辑准位时,用来产生该脉冲信号。8.一种非挥发性半导体记忆体装置,包括:一记忆体单元阵列,其具有复数条字元线、复数条位元线、复数个记忆体单元,其设置于该字元线与位元线之交叉处,每一记忆体单元具有一汲极、一源极、一浮置闸极、一控制闸极;一列选择电路,其用来在程式化操作期间选择一字元线,以回应一列位址;一高电压产生电路,其用来产生一字元线电压与一位元线电压,以回应一高电压致能信号,该字元线电压会经由该列选择电路传送到该选择字元线;一电压准位感测电路,其在该字元线电压与该位元线电压个别上升至其目标准位时,用来产生一脉冲信号;一行选择电路,其用来选择至少一位元线,以回应一行位址;一程式化控制器,其用来产生该高电压致能信号,以回应用来指示该程式化操作之启动之该程式化致能信号,并且用来在一时间消逝后,产生一控制信号,以回应该脉冲信号,该控制信号用来指示该位元电压供应到该选择元线时之一时间点;以及一写入驱动电路,其在供应所产生之该控制信号时,使用依据与所选择之字元线及位元线相关连之一记忆体所要程式化之资料而定之该位元线电压来驱动该选择位元线。9.如申请专利范围第8项所述之非挥发性记忆体装置,更包括一指令暂存器,其用来产生一程式化致能信号,以回应指令码,该指令码是由以一写入致能信号从外部所同步连续供应之位址与资料来界定,其中该程式化控制产生该第一控制信号,以回应该程式化致能信号。10.如申请专利范围第8项所述之非挥发性记忆体装置,其中该电压准位感测电路包括:一第一准位检测器,其在该字元线电压上升至其目标准位,用来产生一第一检测信号,以回应该高电压致能信号;一第二准位检测器,其在该位元线电压上升至其目标准位时,用来产生一第二检测信号,以回应该高电压致能信号;一脉冲产生器,其在启动该第一与第二检测信号时,用来产生该脉冲信号,以回应该高电压致能信号。图式简单说明:第一图系显示出快闪EEPROM单元之结构的剖面图;第二图系显示出一习知非挥发性半导体记忆体装置之方块图;第三图系显示出依据习知技术之用来描述程式化操作之时序图;第四图系显示出依据本发明之非挥发性半导体记忆体装置之方块图。第五图系显示出在第四图中之一电压准位感测电路之一实施例;以及第六图系显示出依据本发明之用来描述一程式化操作时序图。 |
