| 主权项 |
1.一种半球形矽晶粒之形成方法,包括下列步骤:形成一掺杂非多晶矽层于一基底上;对该非晶矽层进行晶粒播种及回火,直到形成一半球形矽晶粒层;在回火过程使该半球形矽晶粒层成长;以及对该半球形矽晶粒层表面进行一化学乾蚀刻制程,以去除该半球形矽晶粒层表面之一非掺杂矽层。2.如申请专利范围第1项所述之半球形矽晶粒之形成方法,其中更包括于约摄氏750度进行一PH3处理步骤,以增加该半球形矽晶粒层之掺质浓度。3.如申请专利范围第1项所述之半球形矽晶粒之形成方法,其中更包括进行一离子植入步骤,以增加该半球形矽晶粒层之掺质浓度。4.如申请专利范围第1项所述之半球形矽晶粒之形成方法,其中该化学乾蚀刻步骤使用含卤素蚀刻气体。图式简单说明:第一图是根据本发明一较佳实施例,一种形成半球形矽晶粒之方法流程图;以及第二图至第五图是根据本发明一较佳实施例,在一非晶矽层上形成一层HSG-Si之方法的剖面示意图。 |
